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특허/실용신안

반도체 장치의 물리적 파라미터들의 통계적 분포 특성을평가하는 방법

특허 실용신안 개요

기관명, 출원인, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 권리구분, 초록, 원본url, 첨부파일 순으로 구성된 표입니다.
기관명 NDSL
출원인 삼성전자주식회사
출원번호 10-2006-0013189
출원일자 2006-02-10
공개번호 20080509
공개일자 2007-04-12
등록번호 10-0706812-0000
등록일자 2007-04-05
권리구분 KPTN
초록 반도체 장치의 물리적 파라미터들의 통계적 분포 특성을 평가하는 방법을 제공한다. 이 방법은 복수개의 트랜지스터들을 포함하는 복수개의 칩들을 제조하고, 상기 복수개의 칩들에 포함된 복수개의 트랜지스터들의 전기적 특성들을 측정하여 전기적 특성 데이터를 준비하고, 상기 전기적 특성 데이터를 분석하여 상기 전기적 특성들의 칩간 산포 특성 및 칩내 산포 특성을 추출하고, 상기 추출된 칩간 산포 특성 및 칩내 산포 특성을 충족시키는 난수 데이터를 생성한 후, 상기 난수 데이터에 기초하여 상기 칩들의 물리적 파라미터들의 통계적 분포 특성 데이터를 추출하는 시뮬레이션을 실시하는 단계를 포함한다.
원문URL http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KPTN&cn=KOR1020060013189
첨부파일

추가정보

과학기술표준분류, ICT 기술분류, IPC분류체계CODE, 주제어 (키워드) 순으로 구성된 표입니다.
과학기술표준분류
ICT 기술분류
IPC분류체계CODE H01L-021/02,H01L-021/66
주제어 (키워드)