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소수성 고분자 박막의 표면 개질 방법 및 표면 개질된 소수성 고분자 박막

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기관명	NDSL
출원인	광주과학기술원
출원번호	10-2011-0139513
출원일자	2011-12-21
공개번호	20130705
공개일자	2014-04-04
등록번호	10-1381244-0000
등록일자	2014-03-28
권리구분	KPTN
초록	소수성 고분자 박막의 표면 개질 방법 및 표면 개질된 소수성 고분자 박막이 개시된다. 본 발명에 의한 소수성 고분자 박막의 표면 개질 방법은, 상압 플라즈마 중합 반응기 내에 소수성 고분자 박막을 위치시키는 단계,상기 상압 플라즈마 중합 반응기 내에 제 1 반응가스를 공급하여 상기 소수성 고분자 박막 상에 물리적 배리어층을 플라즈마 증착하는 단계 및 상기 상압 플라즈마 중합 반응기 내에 제 2 반응가스를 공급하여 상기 물리적 배리어층 상에 친수성 코팅층을 플라즈마 증착하는 단계를 포함하여 저비용으로 장치 및 설비의 동작, 유지가 가능하며, 대면적의 박막을 처리하는 데 유용하다. 또한, 본 발명에 의한 표면 개질된 소수성 고분자 박막은 소수성 고분자 박막 상에 물리적 배리어층 및 친수성 코팅층의 이중층을 포함하여 소수성 고분자의 확산을 방지함으로써 박막 표면이 우수한 젖음성을 나타내며, 친수성이 장시간 유지되는 효과가 있다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KPTN&cn=KOR1020110139513
첨부파일

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