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박막 트랜지스터 및 그 제조 방법

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기관명	NDSL
출원인	삼성전자주식회사
출원번호	10-1995-0068219
출원일자	1995-12-30
공개번호	20080509
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	본 발명은 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 도핑된 비정질 실리콘막을 형성할 때, 비정질 실리콘막을 형성하고, 에피 스토퍼 절연막을 마스크로 하여 이온 샤우어법으로 도핑하므로써 공정을 단순화하는 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법이다. 또한, 채널부에 광유도 전류(phoro induce current)의 워닝이 되는 비정질 실리콘막이 에치 스토퍼 절연막 및 소스-드레인 전극 외부로 노출되지 않아 광 조사에 의한 오프 전류 증가를 방지하는 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1019950068219
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