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특허/실용신안

트랜지스터 구조의 바이오 센서 및 그의 제조방법

특허 실용신안 개요

기관명, 출원인, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 권리구분, 초록, 원본url, 첨부파일 순으로 구성된 표입니다.
기관명 NDSL
출원인 한국전자통신연구원
출원번호 10-2009-0021592
출원일자 2009-03-13
공개번호 20100614
공개일자 2012-04-20
등록번호 10-1136881-0000
등록일자 2012-04-09
권리구분 KPTN
초록 본 발명은 바이오센서 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 바이오센서는 기판 상에 형성된 게이트 전극; 상기 게이트 전극 상에 형성된 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 상에 형성된 소스 및 드레인 전극; 상기 소스 및 드레인 전극 사이의 채널 영역을 포함하는 트랜지스터 구조이고, 상기 채널 영역은 항원-항체 반응을 감지하는 액티브 폴리머 및 친수성 나노 입자로 형성된 액티브층을 포함하며, 상기 액티브층은 직접인쇄기술, 예를 들면, 잉크젯 프린트법으로 형성된다.상기와 같은 구조의 바이오센서는 항원-항체 간의 반응성과 친수성을 증가시켜 센서의 특성을 개선시킬 수 있으며, 또한, 직접인쇄기술을 이용하여 대면적 공정이 가능하며 플라스틱을 포함하여 다양한 기판 위에 소자의 제작이 용이하다.
원문URL http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KPTN&cn=KOR1020090021592
첨부파일

추가정보

과학기술표준분류, ICT 기술분류, IPC분류체계CODE, 주제어 (키워드) 순으로 구성된 표입니다.
과학기술표준분류
ICT 기술분류
IPC분류체계CODE H01L-029/786,B82Y-010/00,B82Y-015/00
주제어 (키워드)