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특허/실용신안

대기압 플라즈마 소스

특허 실용신안 개요

기관명, 출원인, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 권리구분, 초록, 원본url, 첨부파일 순으로 구성된 표입니다.
기관명 NDSL
출원인 광운대학교 산학협력단
출원번호 10-2012-0054037
출원일자 2012-05-22
공개번호 20131206
공개일자 2014-08-06
등록번호 10-1417273-0000
등록일자 2014-06-30
권리구분 KPTN
초록 본 발명은 생명공학용 내지는 의료용으로 응용할 수 있는 대기압 플라즈마 소스의 구성에 관한 것으로, 종래 전극구조로는 플라즈마가 피 처리물에 직접 잘 닿지 않아 처리 효과를 제대로 발휘할 수 없는 문제를 해결하고자 제안되었다. 본 발명에 따르면, 기판의 일면에 X 전극과 Y 전극을 모두 포토리소그래피로 형성하고 이들을 유전체/2차전자생성층/수화방지층으로 코팅하여 제작하며, 특히 포토리소그래피를 이용하므로 전극밀도를 높여 저전력 고밀도 플라즈마 면 방전을 가능케 하고, 피처리물에 플라즈마가 직접 닿을 수 있게 하였으며(Direct Plasma), 수화방지막으로 인하여 플라즈마 소스의 수명을 장기화하였다.
원문URL http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KPTN&cn=KOR1020120054037
첨부파일

추가정보

과학기술표준분류, ICT 기술분류, IPC분류체계CODE, 주제어 (키워드) 순으로 구성된 표입니다.
과학기술표준분류
ICT 기술분류
IPC분류체계CODE H05H-001/24,H01L-021/027,H01J-027/16
주제어 (키워드)