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선택적 바이어싱에 의해 고용량 메모리들에서 메모리 어레이 누설을 감소시키는 시스템들 및 방법들

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기관명	NDSL
출원인	시놉시스, 인크.
출원번호	10-2012-7006574
출원일자	2012-03-13
공개번호	20120511
공개일자	2013-12-06
등록번호	10-1338633-0000
등록일자	2013-12-02
권리구분	KPTN
초록	SRAM 셀들이 복수의 섹터로 배열되는 SRAM 에서 누설 감소를 위한 소스 바이어싱 메카니즘이 개시된다. 대기 모드에서, 복수의 섹터에서의 섹터의 SRAM 셀들은 선택해제되고, 소스 바이어싱 전위는 복수의 섹터의 SRAM 셀들에 제공된다. 작업 모드에서, 복수의 섹터에서의 선택된 섹터의 SRAM 셀들에 제공된 소스 바이어싱 전위는 선택해제되고, 선택된 섹터내의 물리적 행에서의 SRAM 셀들이 판독되면서, 선택되지 않은 섹터들에서의 나머지 SRAM 셀들은 계속 소스 바이어싱된다. 대기 모드에 있는 SRAM 셀들에 제공된 소스 바이어싱 전위는 제어 신호들의 논리 상태에 기초하여 상이한 전압들로 설정될 수 있다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KPTN&cn=KOR1020127006574
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