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반도체 박막 증착을 위한 개선된 프로세스

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기관명	NDSL
출원인	에이에스엠 아메리카, 인코포레이티드
출원번호	10-2008-7027835
출원일자	2008-11-13
공개번호	20081209
공개일자	2009-12-29
등록번호	10-0934169-0000
등록일자	2009-12-18
권리구분	KPTN
초록	화학기상증착 프로세스가 화학 전구체로서 고차의 실란과 게르마늄 전구체를 이용한다. 상기 프로세스는 높은 증착률을 가지며, 조성과 두께 모두에서 종래의 화학 전구체를 사용하여 마련된 박막보다 균일한 박막을 생산한다. 바람직한 실시예에서는, 트리실란이 SiGe 함유 막을 증착하기 위해 채용되며, 이것은 반도체 산업에서 트랜지스터 게이트 전극처럼 다양하게 응용된다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KPTN&cn=KOR1020087027835
첨부파일

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