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특허/실용신안

3차원 구조의 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법

특허 실용신안 개요

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기관명 NDSL
출원인 에스케이하이닉스 주식회사
출원번호 10-2011-0081285
출원일자 2011-08-16
공개번호 20130228
공개일자 0000-00-00
등록번호
등록일자 0000-00-00
권리구분 KUPA
초록 본 발명은 3차원 구조의 비휘발성 메모리 소자에 있어서, 기판; 상기 기판 상에 적층되며, 계단형으로 패터닝되어 일측에 패드 영역을 갖는 복수의 워드라인들; 및 상기 복수의 워드라인들의 패드 영역에 각각 연결된 복수의 콘택플러그들을 포함하고, 상기 복수의 워드라인들 중 상부에 위치된 워드라인의 패드 영역은 하부에 위치된 워드라인의 패드 영역보다 넓은 폭을 갖는다. 본 발명에 따르면, 식각 공정을 반복하는 과정에서 오차가 누적되더라도 패드 영역과 콘택플러그가 오정렬될 확률을 감소시킬 수 있다. 특히, 모든 패드 영역의 폭을 일괄적으로 증가시키지 않고, 패드 영역과 콘택플러그가 오정렬될 확률이 높은 상부의 패드 영역의 폭을 상대적으로 증가시키므로, 정렬 마진을 확보하면서도 셀 면적이 지나치게 넓어지거나 식각 공정이 반복되는 과정에서 마스크 패턴이 소진되는 문제점을 방지할 수 있다.
원문URL http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020110081285
첨부파일

추가정보

과학기술표준분류, ICT 기술분류, IPC분류체계CODE, 주제어 (키워드) 순으로 구성된 표입니다.
과학기술표준분류
ICT 기술분류
IPC분류체계CODE H01L-027/115,H01L-021/8247
주제어 (키워드)