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반도체 소자의 누설전류 예측 방법

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기관명	NDSL
출원인	삼성전자주식회사
출원번호	10-2008-0084718
출원일자	2008-08-28
공개번호	20100412
공개일자	2015-03-23
등록번호	10-1504594-0000
등록일자	2015-03-16
권리구분	KPTN
초록	반도체 소자의 누설전류 예측 방법에 있어서, 다수의 셀을 갖는 칩을 다수의 분할영역으로 구분하고, 각 셀에서 누설전류를 야기하는 공정 변수들 상호간의 공간적 상관성(spatial correlation)을 결정한다. 다수의 누설 성분에 관한 실제 누설 특성함수를 산술적으로 합산하여 상기 다수의 누설 성분과 물리적으로 등가인 가상 셀 누설 특성 함수(virtual cell leakage characteristic function)를 생성한다. 분할 영역 내의 각 셀에 대한 가상 셀 누설 특성함수를 산술적으로 합산하여 상기 분할 영역에서 발생하는 누설 전류에 관한 특성 함수인 영역 누설 특성함수를 생성한다. 영역 누설 특성함수를 통계적으로 합산하여 전 칩에서 발생하는 누설전류에 관한 특성함수인 전칩(full chip) 누설 특성함수를 생성한다. 전칩 누설특성함수를 수득하기 위한 윌킨슨 알고리즘의 복잡도를 줄일 수 있다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KPTN&cn=KOR1020080084718
첨부파일

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