마스크 블랭크, 전사용 마스크, 전사용 마스크의 제조 방법 및 반도체 디바이스의 제조 방법
기관명 | NDSL |
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출원인 | 호야 가부시키가이샤 |
출원번호 | 10-2012-0107964 |
출원일자 | 2012-09-27 |
공개번호 | 20130412 |
공개일자 | 0000-00-00 |
등록번호 | |
등록일자 | 0000-00-00 |
권리구분 | KUPA |
초록 | 고정밀도의 전사 패턴을 갖고, 광학 특성이 양호한 차광막을 갖는 전사용 마스크를 제작하는 것을 가능하게 하는 마스크 블랭크를 제공한다. 전사용 마스크를 제작하기 위해서 이용되는 마스크 블랭크이고, 투광성 기판 상에 차광막과 에칭 마스크막이 차례로 적층한 구조를 갖는 마스크 블랭크로서, 상기 에칭 마스크막은 크롬을 함유하는 재료로 이루어지고, 상기 차광막은 탄탈을 함유하는 재료로 이루어지고, 상기 차광막의 투광성 기판측과는 반대측의 표층에 고산화층이 형성되어 있고, 상기 고산화층은 X선 전자 분광 분석을 행하였을 때의 Ta4f의 네로우 스펙트럼이 23eV보다도 큰 속박 에너지에서 최대 피크를 갖는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크이다. |
원문URL | http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020120107964 |
첨부파일 |
과학기술표준분류 | |
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ICT 기술분류 | |
IPC분류체계CODE | G03F-001/50,G03F-001/80,H01L-021/027 |
주제어 (키워드) |