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저 접촉 저항 박막 트랜지스터

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기관명	NDSL
출원인	에보니크 데구사 게엠베하
출원번호	10-2016-7015436
출원일자	2016-06-10
공개번호	20160721
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	본 발명은 상부에 게이트 전극 층(101)이 침착 및 패턴화되어 있는 기판(100), 및 게이트 전극 층 및 기판 상에 침착된 게이트 절연체 층(102)을 포함하는 신규한 박막 트랜지스터 (TFT)이며, 상기 트랜지스터는 (i) 게이트 절연체 층 위쪽에 배열된 캐리어 주입 층(103), (ii) 캐리어 주입 층 상에 침착된 소스/드레인 (S/D) 전극 층(104) 및 (iii) 반도체 층(106)을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 TFT, 이러한 신규한 TFT의 제조 방법, 이러한 TFT를 포함하는 장치 및 이러한 TFT의 용도에 관한 것이다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167015436
첨부파일

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