금속 게이트를 갖는 반도체 구조 및 그 제조 방법
기관명 | NDSL |
---|---|
출원인 | 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 |
출원번호 | 10-2014-0165311 |
출원일자 | 2014-11-25 |
공개번호 | 20150702 |
공개일자 | 0000-00-00 |
등록번호 | |
등록일자 | 0000-00-00 |
권리구분 | KUPA |
초록 | 금속 게이트 구조를 제조하기 위한 방법은 게이트 트렌치에 하이-k 유전체 층을 형성하는 단계; 상기 하이-k 유전체 층 위에 에칭 정지부(etch stop)를 형성하는 단계; 원자층 증착(ALD) 동작에 의해, 입계 공학 층으로서, 도펀트 원자가 그 층을 통해 침투하는 것을 허용하도록 구성된 입계 공학 층, 상기 도펀트 원자를 상기 입계 공학 층에 제공하도록 구성된 도핑 층, 및 상기 도핑 층이 산화되는 것을 방지하도록 구성된 캐핑 층의 시퀀스를 갖는 3-층을 형성함으로써 상기 에칭 정지부 위에 일함수 조정층을 형성하는 단계; 및 상기 게이트 트렌치를 레벨 업(level up)하도록 금속을 충전하는 단계를 포함한다.입계 공학 층은 섭씨 약 200도 내지 350도와 같은 다양한 온도들 하의 ALD 동작에 의해 준비된다. |
원문URL | http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020140165311 |
첨부파일 |
과학기술표준분류 | |
---|---|
ICT 기술분류 | |
IPC분류체계CODE | H01L-021/336,H01L-029/78 |
주제어 (키워드) |