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특허/실용신안
고압 RF-DC 스퍼터링과 이 프로세스의 단차 도포성 및 막 균일성을 개선하기 위한 방법
특허 실용신안 개요
| 기관명 | NDSL |
|---|---|
| 출원인 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 |
| 출원번호 | 10-2011-7026049 |
| 출원일자 | 2011-11-01 |
| 공개번호 | 20120113 |
| 공개일자 | 0000-00-00 |
| 등록번호 | |
| 등록일자 | 0000-00-00 |
| 권리구분 | KUPA |
| 초록 | 본 발명의 실시예들은 일반적으로 물리기상증착(PVD) 프로세스를 수행하기 위해 사용되는 프로세싱 챔버 및 다성분 막의 증착 방법을 제공한다.상기 프로세싱 챔버는, 임의의 정재파 효과를 저감시키는 개선된 RF 공급 구조; RF 플라즈마 균일성, 증착된 막의 조성과 두께 균일성을 향상시키도록 개선된 마그네트론 디자인; 프로세스 제어를 향상시키도록 개선된 기판 바이어싱 구조; 및 기판의 주요 표면 부근에서 RF 전계 균일성을 향상시키도록 개선된 프로세스 키트 디자인을 포함할 수 있다.상기 방법은 다성분 타겟에 연결된 RF 전력공급장치를 이용하여, 챔버의 프로세싱 영역에 플라즈마를 형성하는 단계; 상기 다성분 타겟에 대해 마그네트론을 병진 이동시키는 단계로서, 상기 마그네트론은 상기 마그네트론이 이동하고 플라즈마가 형성되는 동안, 상기 다성분 타겟의 중심점에 대하여 제 1 위치에 위치되는, 마그네트론 병진 이동 단계; 및 상기 챔버에서 기판에 다성분 막을 증착하는 단계;를 포함한다. |
| 원문URL | http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020117026049 |
| 첨부파일 |
추가정보
| 과학기술표준분류 | |
|---|---|
| ICT 기술분류 | |
| IPC분류체계CODE | H01L-021/203,C23C-014/34 |
| 주제어 (키워드) |