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특허/실용신안

플라즈마 처리 장치

특허 실용신안 개요

기관명, 출원인, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 권리구분, 초록, 원본url, 첨부파일 순으로 구성된 표입니다.
기관명 NDSL
출원인 재단법인 철원플라즈마 산업기술연구원
출원번호 10-2012-0016904
출원일자 2012-02-20
공개번호 20130830
공개일자 2014-03-19
등록번호 10-1374627-0000
등록일자 2014-03-10
권리구분 KPTN
초록 본 발명은 플라즈마 처리 대상 소재의 플라즈마 처리를 위한 통과 경로가 반응기 내에서 나선형으로 연장되는 경로 형태를 갖도록 하고, 반응기 내에서 처리 대상 소재의 나선형 경로와 밀착하여 고전압 발생용 전극이 나선형으로 연장될 수 있도록 하는 플라즈마 처리 장치를 제공하는 것이다. 이를 위해 본 발명은 일단에 입구부(Inlet)를 구비함과 동시에 타단에 출구부(Outlet)를 구비하고, 상기 입구부를 통해 공급되는 처리 대상 소재 및 처리 가스를 나선 형상으로 통과시켜 처리하는 처리 채널을 형성하여 상기 출구부를 통해 전기적, 물리적 특성이 변환된 물질을 반출하는 반응기; 상기 입구부를 통해 상기 반응기의 내부로 특정 처리 대상 소재를 일정하게 공급하는 소재 공급부; 상기 소재 공급부와는 별도로 구비되어 상기 입구부를 통해 상기 반응기의 내부로 처리 가스를 일정하게 공급하는 가스 공급부;상기 반응기의 내부에 일정한 전원을 인가하여, 상기 입구부로부터 출구부 측까지 연장되는 나선 형상의 처리 채널을 형성하고 그 처리 채널을 따라 이동하는 처리 대상 소재 및 처리 가스가 플라즈마 반응을 발생시키도록 하는 전원 공급부; 상기 전원 공급부의 양단과 각각 연결된 서로 다른 극성의 제1 전극 및 제2 전극이 상기 반응기 내부의 입구부측으로부터 출구부측에 나선 형상의 처리 채널을 형성하고, 상기 제1 전극 및 제2 전극에 의해 형성되는 처리 채널들 사이에 처리 대상 소재와 처리 가스를 주입하여 플라즈마 방전 반응을 발생시키기 위하여 고전압을 공급하는 제1 및 제2 전극부; 및 상기 반응기 내의 제1 및 제2 전극부를 통하여 공급된 고전압에 의하여 형성된 처리 채널 내에서 플라즈마 방전이 발생하고 플라즈마에 의하여 처리 대상 소재를 플라즈마 처리함에 따라 전기적, 물리적 특성으로 변환되어 출구부를 통해 반출되는 처리 물질을 수취하는 수취부;를 포함하여 구성된 것을 특징으로 한다.
원문URL http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KPTN&cn=KOR1020120016904
첨부파일

추가정보

과학기술표준분류, ICT 기술분류, IPC분류체계CODE, 주제어 (키워드) 순으로 구성된 표입니다.
과학기술표준분류
ICT 기술분류
IPC분류체계CODE H05H-001/24,H05H-001/34,B22F-009/14
주제어 (키워드)