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특허/실용신안

박막 전지 및 이를 제조하기 위한 방법

특허 실용신안 개요

기관명, 출원인, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 권리구분, 초록, 원본url, 첨부파일 순으로 구성된 표입니다.
기관명 NDSL
출원인 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
출원번호 10-2010-7028770
출원일자 2010-12-21
공개번호 20110309
공개일자 2016-04-12
등록번호 10-1612057-0000
등록일자 2016-04-06
권리구분 KPTN
초록 박막 전지의 층을 제조하는 방법은 스퍼터링 타겟을 제공하는 단계 및 플라즈마 공정의 결합으로 인해 향상된 물리 기상 증착 공정을 이용하여 기판 상에 층을 증착하는 단계를 포함한다.증착 공정은, (1) 타겟과 기판 사이에 플라즈마를 발생시키는 단계; (2) 타겟을 스퍼터링하는 단계; (3) 플라즈마에 마이크로웨이브 에너지를 공급하는 단계; 및 (4) 기판에 무선 주파수 전력을 인가하는 단계를 포함한다.박막 전지 캐소드층의 스퍼터링 타겟은, LiM a N b Z c 의 평균 조성을 가지며, a 내지 c는 0.20 gt; {b/(a+b)} gt; 0의 관계를 만족하고, a 대 c의 비율은 상기 캐소드층의 바람직한 결정 구조의 화학 양론비(stoichiometric ratio)와 거의 동일하며, N은 알칼리 토류 원소(alkaline earth element)이고, M은 Co, Mn, Al, Ni 및 V로 구성되는 그룹으로부터 선택되며, Z는 (PO 4 ), O, F 및 N으로 구성되는 그룹으로부터 선택된다.
원문URL http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KPTN&cn=KOR1020107028770
첨부파일

추가정보

과학기술표준분류, ICT 기술분류, IPC분류체계CODE, 주제어 (키워드) 순으로 구성된 표입니다.
과학기술표준분류
ICT 기술분류
IPC분류체계CODE H01M-004/04,C23C-014/00,H01M-010/0562,H01M-004/48
주제어 (키워드)