고분자 압전 재료, 그의 제조방법, 및 압전 소자
기관명 | NDSL |
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출원인 | , |
출원번호 | 10-2011-7023942 |
출원일자 | 2011-10-12 |
공개번호 | 20111223 |
공개일자 | 2013-09-02 |
등록번호 | 10-1302780-0000 |
등록일자 | 2013-08-27 |
권리구분 | KPTN |
초록 | 본 발명에서는, 중량평균 분자량이 5만 내지 100만인 광학 활성을 갖는 헬리칼 키랄 고분자를 포함하고, 25℃에서의 압전 상수 d 14 가 10pC/N 이상이고, X선 회절법으로 얻어지는 결정화도가 40% 내지 80%이며, 또한 헤이즈가 0.5 내지 30인 고분자 압전 재료가 제공된다. |
원문URL | http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KPTN&cn=KOR1020117023942 |
첨부파일 |
과학기술표준분류 | |
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ICT 기술분류 | |
IPC분류체계CODE | C08L-067/04,C08G-063/08,H01L-041/08,H01L-041/193 |
주제어 (키워드) |