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특허/실용신안

고분자 압전 재료, 그의 제조방법, 및 압전 소자

특허 실용신안 개요

기관명, 출원인, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 권리구분, 초록, 원본url, 첨부파일 순으로 구성된 표입니다.
기관명 NDSL
출원인 ,
출원번호 10-2011-7023942
출원일자 2011-10-12
공개번호 20111223
공개일자 2013-09-02
등록번호 10-1302780-0000
등록일자 2013-08-27
권리구분 KPTN
초록 본 발명에서는, 중량평균 분자량이 5만 내지 100만인 광학 활성을 갖는 헬리칼 키랄 고분자를 포함하고, 25℃에서의 압전 상수 d 14 가 10pC/N 이상이고, X선 회절법으로 얻어지는 결정화도가 40% 내지 80%이며, 또한 헤이즈가 0.5 내지 30인 고분자 압전 재료가 제공된다.
원문URL http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KPTN&cn=KOR1020117023942
첨부파일

추가정보

과학기술표준분류, ICT 기술분류, IPC분류체계CODE, 주제어 (키워드) 순으로 구성된 표입니다.
과학기술표준분류
ICT 기술분류
IPC분류체계CODE C08L-067/04,C08G-063/08,H01L-041/08,H01L-041/193
주제어 (키워드)