| 초록 |
본 발명은 진공상태에서 고분자 입체상 중합체의 표면에 불활성가스 이온 및 금속이온을 주입하여 표면저항을 생성시키는 처리실; 불활성가스 이온을 생성시키고 플라즈마를 형성하는 불활성가스를 상기 처리실에 공급하는 불활성가스 공급부; 상기 처리실 내부에 전력을 공급하는 전력 공급장치, 안테나에 일정한 주파수의 전압을 형성하는 매칭박스 및 상기 불활성가스를 이온화시켜 플라즈마를 형성하는 안테나로 구성된 전력 공급부; 상기 전력 공급부로부터 일정한 주파수와 전압을 인가받아 금속이온을 생성할 수 있는 스퍼터 소스를 상기 처리실에 공급하는 스퍼터 소스 공급부; 펄스 파워와 다수개의 그리드가 연결된 구조로 구성되고, 상기 불활성가스 이온 및 금속이온을 집속하여 고분자 입체상 중합체에 주입하는 그리드부; 상기 처리실에 고분자 입체상 중합체를 인입시키고 배출시키는 도어부; 및 상기 처리실 내부를 감압시켜 진공상태로 만드는 압력조절부; 를 포함하는 고분자 입체상 중합체의 표면 처리장치에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 불활성가스를 이온화시키고, 진공상태에서 금속이온을 생성하고, 그리드에 인입된 고분자 입체상 중합체에 금속이온과 전자, 양이온을 물리적으로 이온주입하여 표면을 개질하고 고분자 입체상 중합체의 전기적인 성질인 표면저항을 생성하는 고분자 입체상 중합체의 표면 처리장치 및 처리방법을 제공할 수 있다. |
