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논문 기본정보

Si(100)의 2 × 1 → 2 × n → c(4 × 4) 구조상전이에 따른 탄화수소 분자들의 효율성 연구

논문 개요

기관명, 저널명, ISSN, ISBN 으로 구성된 논문 개요 표입니다.
기관명 NDSL
저널명 새물리 = New physics
ISSN 0374-4914,2289-0041
ISBN

논문저자 및 소속기관 정보

저자, 소속기관, 출판인, 간행물 번호, 발행연도, 초록, 원문UR, 첨부파일 순으로 구성된 논문저자 및 소속기관 정보표입니다
저자(한글) 이호철,박민철,장남규,이경남,박유경,강석태
저자(영문)
소속기관
소속기관(영문)
출판인
간행물 번호
발행연도 2008-01-01
초록 Si(100) 표면이 2 × 1 → 2 × n → c(4 × 4)로의 재구조가 일어나는 표면 온도와 적절한 탄소의 양을 조사하기 위하여, 표면 분석 장치인 RHEED(Reflection High Energy Electron Diffraction) 로 실험하였다. 또한 UHV chamber 내에 서로 다른 탄화수소 분자인 에틸렌(C 2 H 4 )과 아세틸렌(C 2 H 2 ) 기체를 시료 표면 위에 뿌려줄 수 있는 기체 분사장치를 부착하였다. 초고진공에서 Si(100)를 1000~1200℃사이에서 수 초간 flashing하여 깨끗한 2×1 buckled dimer구조를 얻었다. 이후 시료표면 온도 650℃에서 에틸렌 기체의 분사량을 변화시키면서 분자 흡착과정을 거쳤으며 상온에서의 RHEED 회절무늬를 관찰함으로서 c(4 × 4) 재구조에 가장 적절한 C-atom의 양을 확인하였다. 또한 흡착에너지의 크기가 다른 에틸렌과 아세틸렌 기체를 이용하여 구조상전이 과정을 비교함으로서 Si(100)의 구조상전이에 가장 적절한 C-atom의 덮임율과 두 기체 간 표면 구조상전이 과정의 효율성 차이를 확인할 수 있었다.
원문URL http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=NART&cn=NART48061202
첨부파일

추가정보

과학기술표준분류, ICT 기술분류,DDC 분류,주제어 (키워드) 순으로 구성된 추가정보표입니다
과학기술표준분류
ICT 기술분류
DDC 분류
주제어 (키워드) Si(100),RHEED,탄화수소,재구조,구조상전이,Si(100),RHEED,Hydrocarbon,Reconstruction