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논문 기본정보
The Effect of SiON Film on the Blistering Phenomenon of Al2O3 lt;sub gt; Rear Passivation Layer in PERC Solar Cell
논문 개요
| 기관명 | NDSL |
|---|---|
| 저널명 | 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집 |
| ISSN | , |
| ISBN |
논문저자 및 소속기관 정보
| 저자(한글) | 조국현,장효식 |
|---|---|
| 저자(영문) | |
| 소속기관 | |
| 소속기관(영문) | |
| 출판인 | |
| 간행물 번호 | |
| 발행연도 | 2014-01-01 |
| 초록 | 고효율 태양전지로 가기 위해서는 태양전지의 후면 패시베이션은 중요한 역할을 한다. 후면 패시베이션 막으로 사용되는 $Al_2O_3$ 막은 $Al_2O_3/Si$ 계면에서 높은 화학적 패시베이션과 Negative Fixed Charge를 가지고 있어 적합한 Barrier막으로 여겨진다. 하지만 이후에 전면 Metal paste의 소성 공정에 의해 $800^{ circ}C$ 이상 온도를 올려주게 됨에 따라 $Al_2O_3$ 막 내부에 결합되어 있던 수소들이 방출되어 blister가 생성되고 막 질은 떨어지게 된다. 우리는 blister가 생성되는 것을 방지하기 위한 방법으로 PECVD 장비로 SiNx를 증착하는 공정 중에 $N_2O$ 가스를 첨가하여 SiON 막을 증착하였다. SiON막은 $N_2O$ 가스량을 조절하여 막의 특성을 변화시키고 변화에 따라 소성시 막에 미치는 영향에 대하여 조사하였다. 공정을 위해 $156{ times}156mm2$ , $200{ mu}m$ , $0.5-3.0{ Omega}{ cdot}cm$ and p-type 단결정 실리콘 웨이퍼를 사용하였고, $Al_2O_3$ 막을 올리기 전에 RCA Cleaning 실행하였다. ALD 장비를 통해 $Al_2O_3$ 막을 10nm 증착하였고 RF-PECVD 장비로 SiNx막과 SiON막을 80nm 증착하였다. 소성로에서 $850^{ circ}C$ ( $680^{ circ}C$ ) 5초동안 소성하고 QSSPC를 통해 유효 반송자 수명을 알아보았다. |
| 원문URL | http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=NPAP&cn=NPAP12333257 |
| 첨부파일 |
추가정보
| 과학기술표준분류 | |
|---|---|
| ICT 기술분류 | |
| DDC 분류 | |
| 주제어 (키워드) | Blister,Lifetime,Hydrogen passivation,SiNx (silicon nitride),Al2O3 (aluminum oxide),SiON (silicon oxynitride) |