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논문 기본정보
나노 자성기억소자(MRAM) 기술동향 및 정보분석
논문 개요
| 기관명 | NDSL |
|---|---|
| 저널명 | 공업화학전망 = Prospectives of industrial chemistry |
| ISSN | 1229-120x, |
| ISBN |
논문저자 및 소속기관 정보
| 저자(한글) | 서주환,이일형,최붕기,김영근 |
|---|---|
| 저자(영문) | |
| 소속기관 | |
| 소속기관(영문) | |
| 출판인 | |
| 간행물 번호 | |
| 발행연도 | 2008-01-01 |
| 초록 | 노트북 PC를 비롯한 PDA, MP3, 디지털 카메라, 휴대형 단말기 등 각종 정보제품들은 초소형화, 고속화, 지능화의 방향으로 빠르게 진화하고 있으며 이러한 정보화 기기에 필요한 새로운 비휘발성 정보저장 매체에 대한 요구가 높아지고 있다. 최근 주목받고 있는 차세대 비휘발성 메모리에는 강유전체메모리(FeRAM), 자기메모리(MRAM), 저항형 메모리(RRAM), 상변화메모리(PRAM) 등이 있다. 이들 메모리는 각각의 장점을 가지고 있으며, 그 용도에 맞는 방향으로 연구개발이 활발하게 진행되고 있다. 특히 MRAM 기술의 경우 비휘발성 메모리 소자의 개발에만 활용이 되는 것이 아니라, 논리소자, 공명터널소자, 재생센서, 분자검지 소자 등 정보통신산업과 자동차 산업, 국방산업, 바이오 산업 등 그 활용범위가 매우 높은 핵심 기반 기술을 제공한다. |
| 원문URL | http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=NART&cn=NART51546781 |
| 첨부파일 |
추가정보
| 과학기술표준분류 | |
|---|---|
| ICT 기술분류 | |
| DDC 분류 | |
| 주제어 (키워드) | MRAM,magnetic memory,magnetic tunnel junction,information analysis |