| 초록 |
본 논문에서는 적외선 스펙트럼(infrared spectrum, IR spectrum), 주사전자현미경(scanning electron microscope, SEM)과 원자력현미경(atomic force microscopy)을 이용하여 304 스테인리스강 반송파 산화막(Square Wave Oxide Layer)/폴리티오펜 복합막(Polythiophene Film)을 표현하였으며 전기화학 실험법으로 복합막의 내식성을 고찰하였다. 그 결과, 반송파 불활성화를 거친 304 스테인리스강 반송파 산화막에 전착한 폴리시오펜(Polythiophene, PTH)을 통하여 304SS/산화막/PTH의 복합막을 제조하였는데 막층이 치밀하였다. 복합막의 PTH층 분자구조는 a-a 법칙으로 연결 되었으며 양호한 전기화학 가역산화환원(reversible electrochemical properties) 가능성이 있었다. 복합막의 전도율은 5~10 S/cm 범위내에 있었다. 304SS/PTH과 304SS/AV800/PTH, 304SS/AVl020/PTH 복합막의 계면의 접합강도(interfacial shear strength)는 각각 0.81, 4.98MPa 그리고 5.10MPa이었다. 1M H 2 SO 4 용액에서 내식성을 검측한 결과, 두가지 복합막의 부식 전위는 0.80V이동하였으며 304스테인리스강 매트릭스가 불활성화 상태를 보존하게 하였고 304스테인리스강 매트릭스의 양극 활성 융해를 억제하여 내식성을 높혀주었다. 비교하여 보면 304SS/AVl020 표면의 다공성과 PTH막 형성 다공 산화물의 수지함침층(Hybrid layer)으로 하여 304ss/AVl020/PTH 복합막의 전기화학, 전기학 및 계면접합 강도는 모두 304SS/AV800/PTH 복합막 보다 우월하였다. |
