| 초록 |
본 논문은 유기 금속 화학 증착(metal organic chemical vapor deposition, MOCVD) 기술로 산화 방지(oxidation resistance) 이리듐(iridium) 코팅층을 제작하는 기본 원리와 특성을 종합하여 서술하였다. 그리고 MOCVD 기술로 코팅층을 제작하는 과정에서 금속 유기물 전구체(metal organic precursor), 기질 종류(type of substrate), 증착 온도(deposition temperature), 증착 환경(deposition atmosphere) 등 조건이 이리듐 코팅층 구조에 미치는 영향을 연구하였으며, 열팽창 계수 부적합성, 불순물 존재 및 미세 균열(micro-cracks) 등 원인으로 인한 3종의 이리듐 코팅 실패 메커니즘(failure mechanism)을 제안하였다. 그리고 중국 내외의 MOCVD 이리듐 코팅층 제작 기술 및 성능 특성에 근거하여 중국에서 MOCVD 기술로 이리듐 코팅층 제작 과정에 존재하는 원가가 높고, 증착 이론이 완벽하지 못하며, 코팅층 결합 강도가 낮은 등 주요 문제점 및 해당 문제점을 해결할 수 있는 방법을 제안하였다. |
