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논문 기본정보
ZnSe/ZnTe 초격자 버퍼층을 이용한 GaSb 박막성장
논문 개요
| 기관명 | NDSL |
|---|---|
| 저널명 | 새물리 = New physics |
| ISSN | 0374-4914,2289-0041 |
| ISBN |
논문저자 및 소속기관 정보
| 저자(한글) | 김시영,이웅,정미나,장지호,이홍찬,이상태,조영래 |
|---|---|
| 저자(영문) | |
| 소속기관 | |
| 소속기관(영문) | |
| 출판인 | |
| 간행물 번호 | |
| 발행연도 | 2008-01-01 |
| 초록 | GaAs (001) 기판 위에 ZnSe/ZnTe 초격자 버퍼층을 이용하여 분자선 에피택시법으로 성장된 GaSb 박막의 성장에 관해 연구하였다. GaSb 성장 시 ZnSe/ZnTe 초격자 버퍼층의 영향으로 초기에 2차원 성장모드가 관찰되었다. 또한 원자간력 현미경과 X선 회절법 측정을 통하여 양호한 결정성을 갖는 GaSb박막이 성장되었음을 확인하였으며, GaSb 박막의 성장을 위한 ZnSe/ZnTe 초격자 버퍼의 역할을 고찰하였다. |
| 원문URL | http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=NART&cn=NART51545291 |
| 첨부파일 |
추가정보
| 과학기술표준분류 | |
|---|---|
| ICT 기술분류 | |
| DDC 분류 | |
| 주제어 (키워드) | 분자선 에피탁시법,GaSb,GaAs,ZnTe/ZnSe,MBE,GaSb,GaAs,ZnTe/ZnSe,Superlattice |