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단원자층 증착법에 의한 Hf Silicate 유전체 박막의 에너지 띠 정렬

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저자(한글)	황욱,박광호,이은경,강희재,박남석
저자(영문)
소속기관
소속기관(영문)
출판인
간행물 번호
발행연도	2008-01-01
초록	게이트 산화물 박막으로 관심을 모으고 있는 Hf silicate 박막의 밴드 갭 및 실리콘 기판과의 원자가 띠의 오프셋 값을 측정하였으며, 이 값들을 통해 게이트 산화물과 실리콘 기판과의 띠 정렬을 연구하였다. 밴드 갭은 반사전자에너지 손실분광법을 이용하였고, 원자가 띠 오프셋은 광전자 분광법을 이용하여 측정하였다. (HfO 2 ) 0.25 (SiO 2 ) 0.75 박막의 밴드 갭은 6.4 eV가 측정되었다. 후속 열처리 한 후에도 밴드 갭은 6.3 eV였다. △ E c 는 1.9 eV였다. (HfO 2 ) 0.75 (SiO 2 ) 0.25 박막의 경우 밴드 갭은 5.5 eV, △E c 는 1.3 eV로 계산되었다. Hf silicate 박막은 열적으로 안정되어 있으며, 원자가 띠의 오프셋크기가 1 eV 보다 크므로 게이트 산화박막으로 사용 가능함을 밝혀내었다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=NART&cn=NART50298830
첨부파일

기업조회