| 초록 |
본 연구에서 사일렌 (SiH 4 ) 가스와 아산화질소 (N 2 O) 가스의 혼합가스를 사용하여 플라즈마 화학 기상 증착 (PECVD) 방법으로 잉여 실리콘을 갖는 산화 실리콘 (SiOx) 박막을 제조한 후, 고온에서 열처리 하여 실리콘 (Si) 나노결정을 형성하고 나노결정의 광발광 (light emission) 특성을 연구하였다. 포토루미네슨스 (PL) 측정방법을 사용하여 잉여 Si 농도, 열처리 온도 및 열처리 시간에 따른 광발광 특성의 변화를 조사하였다. PL peak의 파장은 Si 농도, 열처리 온도 및 열처리 시간이 증가함에 따라 장파장 쪽으로 이동 (redshift)하는 일관된 거동이 관측되었다. 그러나 peak에서 PL의 세기는 잉여 Si 원자의 농도와 열처리 온도 사이에 일관된 관련성을 나타내지 않았으나 열처리 시간이 증가함에 따라 세기가 증가하는 거동을 나타내었다. 이러한 결과들은 산화 실리콘 박막을 이용하여 광전소자 제작에 적합한 광발광 Si 나노결정을 형성할 수 있음을 의미한다. |
