Voltage Scaling 기반의 저전력 전류메모리 회로 설계
기관명 | NDSL |
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저널명 | 한국전자통신학회 논문지 = The Journal of the Korea Institute of Electronic Communication Sciences |
ISSN | 1975-8170,2288-2189 |
ISBN |
저자(한글) | 여성대,김종운,조태일,조승일,김성권 |
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저자(영문) | |
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소속기관(영문) | |
출판인 | |
간행물 번호 | |
발행연도 | 2016-01-01 |
초록 | 무선통신시스템은 한정된 에너지를 갖는 배터리를 사용하기 때문에 저전력 회로로 구현되어야 하며, 이를 위하여 주파수와 상관없이 일정한 전력을 나타내는 전류모드 회로가 연구되어왔다. 본 논문에서는 초저전력 동작이 가능하도록 Dynamic Voltage Scaling 전원을 유도하며, 전류모드 신호처리 중 메모리 동작에서 저장된 에너지가 누설되는 Clock-Feedthrough 문제를 최소화하는 전류메모리 회로를 제안한다. $0.35{ mu}m$ 공정의 BSIM3 모델로 Near-threshold 영역의 전원 전압을 사용한 시뮬레이션을 진행한 결과, 1MHz의 스위칭 동작에서 $2{ mu}m$ 의 메모리 MOS Width, $0.3{ mu}m$ 의 스위치 MOS Width, $13{ mu}m$ 의 Dummy MOS Width로 설계할 때, Clock-Feedthrough의 영향을 최소화시킬 수 있었으며 1.2V의 Near-threshold 전원전압에서 소비전력은 $3.7{ mu}W$ 가 계산되었다. |
원문URL | http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=NART&cn=JAKO201608361186667 |
첨부파일 |
과학기술표준분류 | |
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ICT 기술분류 | |
DDC 분류 | |
주제어 (키워드) | 전류 모드 신호 처리,전류 메모리,클록 피드 스루,근접 임계,Current Mode Signal Processing,Current Memory,Clock-Feedthrough,DVS,Near-Threshold |