초록 |
플립칩용으로 Sn-Cu 공정 솔더 범프를 전해도금을 이용하여 제조하고 특성을 연구하였다. Si 웨이퍼 위에 UBM(Under Bump Metallization)으로 Al(400 nm)/Cu(300 nm)/Ni(400 nm)/Au(20 nm)를 전자빔 증착기로 증착하였다. 전류밀도가 1 A/d $ m^2$ 에서 8 A/d $ m^2$ 으로 증가함에 따라 Sn-Cu 솔더의 도금속도는 0.25 $ mu textrm{m}$ /min에서 2.7 $ mu textrm{m}$ /min으로 증가하였다. 이 전류밀도의 범위에서 전해도금된 Sn-Cu 도금 합금의 조성은 Sn-0.9 sim;1.4 wt%Cu의 거의 일정한 상태를 유지하였다. 도금 전류밀도 5 A/d $ m^2$ , 도금시간 2hrs, 온도 $20^{ circ}C$ 의 조건에서 도금하였을 때, 기둥 직경 약 120 $ mu textrm{m}$ 인 양호한 버섯 형태의 Sn-Cu 범프를 형성할 수 있었다. 버섯형 도금 범프를 $260^{ circ}C$ 에서 리플로우 했을 때 직경 약 140 $ mu textrm{m}$ 의 구형 범프가 형성되었다. 화학성분의 균일성을 분석한 결과 버섯형 범프에서 존재하던 범프내 Sn 등 성분 원소의 불균일성은 구형 범프에서는 상당 부분 해소 되었다. |