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논문 기본정보
CVD 이용한 Doping 특성 평가
논문 개요
| 기관명 | NDSL |
|---|---|
| 저널명 | 한국신재생에너지학회 2010년도 추계학술대회 초록집 |
| ISSN | , |
| ISBN |
논문저자 및 소속기관 정보
| 저자(한글) | 오동해,안황기,김기형,김일 |
|---|---|
| 저자(영문) | |
| 소속기관 | |
| 소속기관(영문) | |
| 출판인 | |
| 간행물 번호 | |
| 발행연도 | 2010-01-01 |
| 초록 | 태양전지에서 사용되는 도핑 방법으로는 고온 확산 공정, 레이저 도핑 기술이 주로 사용되고 있으며 이러한 도핑기술은 태양전지 생산가격을 낮추고 변환효율을 향상시키는 핵심 기술로서 활발히 연구되고 있다. 본 연구에서는 화학 기상 증착으로 불순물이 포함된 산화막 형성 후 고온 열처리 공정을 통하여 Si 내부의 불순물 공급을 평가하였다. 특히, 화학 기상 증착 방법으로 제조한 불순물 산화막의 불순물 농도를 반응 가스의 유량을 조절하여 Si 표면에서의 농도차를 조절할 수 있고 이를 이용하여 불순물을 Si 내부로 확산시킨다. 반응 가스의 유량과 열처리 온도를 통하여 $20{ sim}100{ Omega}/ Box$ 의 면저항 영역을 구현하였으며 이를 태양전지에 적용할 수 있음을 확인하였다. |
| 원문URL | http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=NPAP&cn=NPAP10151822 |
| 첨부파일 |
추가정보
| 과학기술표준분류 | |
|---|---|
| ICT 기술분류 | |
| DDC 분류 | |
| 주제어 (키워드) | 태양전지,에미터,도핑,화학기상증착,도핑된 산화막,열처리,Solar Cell,Emitter,Doping,CVD,Doped Oxide,Annealing |