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논문 기본정보
화학적 기계적 연마 공정으로 제조한 PZT 캐패시터의 전기적 특성
논문 개요
| 기관명 | NDSL |
|---|---|
| 저널명 | 한국전기전자재료학회 2006년도 추계학술대회 논문집 Vol.19 |
| ISSN | , |
| ISBN |
논문저자 및 소속기관 정보
| 저자(한글) | 고필주,김남훈,이우선 |
|---|---|
| 저자(영문) | |
| 소속기관 | |
| 소속기관(영문) | |
| 출판인 | |
| 간행물 번호 | |
| 발행연도 | 2006-01-01 |
| 초록 | 본 연구에서는 PZT박막의 강 유전 캐패시터 제작을 위한 연구로, 4-inch크기의 $SiO_2$ /Pt/Ti/Si가 증착된 웨이퍼를 습식 식각하여 $SiO_2$ 패턴(0.8um)을 형성하였고, PZT박막의 캐패시터 제작을 위해 패턴 웨이퍼에 $Pb_{1.1}$ ( $Zr_{0.52}Ti_{0.48}$ ) $O_3$ 조성을 갖는 PZT를 증착하였다. $600^{ circ}C$ 에서 열처리 후 페로브스카이트 구조를 가지는 PZT 박막의 CMP(chemical mechanical polishing) 공정에 따른 전기적 특성을 연구하였다. 강유전체 소자 적용을 위한 CMP 공정으로 제조된 PZT 박막 캐패시터의 P-E특성, I-V특성, 피로특성 등의 전기적 특성을 측정하였다. |
| 원문URL | http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=NPAP&cn=NPAP08613723 |
| 첨부파일 |
추가정보
| 과학기술표준분류 | |
|---|---|
| ICT 기술분류 | |
| DDC 분류 | |
| 주제어 (키워드) | CMP,PZT,Electrical Properties |