Analyzing The Oxidation Behavior of Porous Si3N4 at High Temperature
기관명 | NDSL |
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저널명 | 宇航材料工藝 = Aerospace materials technology |
ISSN | 1007-2330, |
ISBN |
저자(한글) | HE, Feng-mei,CHEN, Cong-hui,YANG, Jing-xing,HUANG, Na,WANG, Xiao-ye |
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저자(영문) | |
소속기관 | |
소속기관(영문) | |
출판인 | |
간행물 번호 | |
발행연도 | 2014-01-01 |
초록 | TG-DSC, XRD, SEM, ICP 등 분석방법으로 전형적 다공 질화규소 샘플에 대하여 4가지 다양한 온도점에서의 정적과 마이크로 동적(Micro dynamic) 연속 산화 실험을 진행하였으며 최고 산화 온도는 1,400℃이다. 연구 결과, 다공 질화규소는 0.1 MPa 정적 공기 분위기에서 800℃ 이전에 산화반응이 매우 미약하고 800℃ 보다 높을때 명확한 산화반응을 나타내며 1,000℃ 이상일때 격렬한 산화반응을 나타내고 무게의 증가속도가 빠르다. 또한 표면과 외부 구멍 벽에서 가장 먼저 발생하고 그 다음으로 샘플의 내부 공극에서 발생한다. 산화반응은 계면 화학 동역학의 제어를 받으며 수동적 산화(Passive oxidation)를 위주로 하고 주요 생성물은 SiO 2 이고 흡열반응에 속한다. 형성된 SiO 2 가 질화규소 표면과 구멍 벽에 피복될때 경계면에서 온도가 높아지거나 시간이 길어질수록 Si 2 N 2 O를 형성할 수 있다. 또한 샘플에 취성파괴(Brittle fracture) 상황이 일어날 가능성에 주의하여야 한다. 이밖에 같은 온도에서 동적 산화 분위기는 질화규소의 산화를 가속화하는데 특히 다공과 분말형태의 샘플이 특이하다. |
원문URL | http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=NART&cn=NART71005801 |
첨부파일 |
과학기술표준분류 | |
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ICT 기술분류 | |
DDC 분류 | |
주제어 (키워드) | Si lt,sub gt,3 lt,/sub gt,N lt,sub gt,4 lt,/sub gt,. Porous,Oxidation behavior,High temperature,Ceramic material,질화규소,다공,산화 특성,고온,도자기 재료 |