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논문 기본정보

Analyzing The Oxidation Behavior of Porous Si3N4 at High Temperature

논문 개요

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기관명 NDSL
저널명 宇航材料工藝 = Aerospace materials technology
ISSN 1007-2330,
ISBN

논문저자 및 소속기관 정보

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저자(한글) HE, Feng-mei,CHEN, Cong-hui,YANG, Jing-xing,HUANG, Na,WANG, Xiao-ye
저자(영문)
소속기관
소속기관(영문)
출판인
간행물 번호
발행연도 2014-01-01
초록 TG-DSC, XRD, SEM, ICP 등 분석방법으로 전형적 다공 질화규소 샘플에 대하여 4가지 다양한 온도점에서의 정적과 마이크로 동적(Micro dynamic) 연속 산화 실험을 진행하였으며 최고 산화 온도는 1,400℃이다. 연구 결과, 다공 질화규소는 0.1 MPa 정적 공기 분위기에서 800℃ 이전에 산화반응이 매우 미약하고 800℃ 보다 높을때 명확한 산화반응을 나타내며 1,000℃ 이상일때 격렬한 산화반응을 나타내고 무게의 증가속도가 빠르다. 또한 표면과 외부 구멍 벽에서 가장 먼저 발생하고 그 다음으로 샘플의 내부 공극에서 발생한다. 산화반응은 계면 화학 동역학의 제어를 받으며 수동적 산화(Passive oxidation)를 위주로 하고 주요 생성물은 SiO 2 이고 흡열반응에 속한다. 형성된 SiO 2 가 질화규소 표면과 구멍 벽에 피복될때 경계면에서 온도가 높아지거나 시간이 길어질수록 Si 2 N 2 O를 형성할 수 있다. 또한 샘플에 취성파괴(Brittle fracture) 상황이 일어날 가능성에 주의하여야 한다. 이밖에 같은 온도에서 동적 산화 분위기는 질화규소의 산화를 가속화하는데 특히 다공과 분말형태의 샘플이 특이하다.
원문URL http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=NART&cn=NART71005801
첨부파일

추가정보

과학기술표준분류, ICT 기술분류,DDC 분류,주제어 (키워드) 순으로 구성된 추가정보표입니다
과학기술표준분류
ICT 기술분류
DDC 분류
주제어 (키워드) Si lt,sub gt,3 lt,/sub gt,N lt,sub gt,4 lt,/sub gt,. Porous,Oxidation behavior,High temperature,Ceramic material,질화규소,다공,산화 특성,고온,도자기 재료