| 초록 |
고온 스트레스(high temperature stress)가 색비름(Amaranthus tricolor L.)의 광합성과정에 미치는 영향을 연구하기 위해서 서로 다른 온도(25, 30, 35, 40, 45℃)로 1시간 처리 후, 색비름의 엽록소 형광 파라메터(characteristic parameters of chlorophyll fluorescence)와 쾌속 광반응 곡선(rapid light response curves)의 특성 파라메터 변화를 측정하였다. 연구 결과, 40℃보다 높은 고온스트레스에서 색비름 잎사귀 광계통Ⅱ(PSⅡ)의 잠재적 광화학 효율(F v /F m )은 감소되었으며, 또한 최대 형광(maximum fluorescence, F m ), 광합성전자전달 비율(electron transport rate, ETR), PSⅡ 실제 광합성 효율(Yield), 광화학 담금질 계수(photochemical quenching coefficient, qP)도 감소되었다. 그러나 초기 형광도(initial fluorescence, F o )와 비광화학 담금질 계수(non-photochemical quenching coefficient, NPQ)는 40℃보다 높은 고온 스트레스에서 뚜렷하게 증가되었다. 엽록소 형광 쾌속 광반응 곡선으로 측정한 결과, 초기 경사도(initial slope rate, alpha;), 최대 상대 광합성전자전달 비율(maximum apparent electron transport rates, ETR max )과 반포화 광도(half-saturation light intensity, Ik)는40℃보다 높은 고온 스트레스에서 조금 감소되었다. 연구 결과는 40℃보다 높은 고온 스트레스가 색비름의 광에너지(light energy) 흡수, 전환, 광합성전자전달과 강한 광선 내성(endurance against strong light) 등에 대하여 일정한 영향을 미친다는 것을 설명하였다. |
