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논문 기본정보
catalyst-free 유기금속 화학증착법을 이용한 InN nanorods의 성장
논문 개요
| 기관명 | NDSL |
|---|---|
| 저널명 | 한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집 |
| ISSN | , |
| ISBN |
논문저자 및 소속기관 정보
| 저자(한글) | 김민화,홍영준,정건욱,박성현,이건훈,문대영,전종명,김미영,이규철,윤의준 |
|---|---|
| 저자(영문) | |
| 소속기관 | |
| 소속기관(영문) | |
| 출판인 | |
| 간행물 번호 | |
| 발행연도 | 2010-01-01 |
| 초록 | 본 연구에서는 catalyst-free 유기금속 화학증착법 (MOCVD)를 이용하여 사파이어 (0001)면 위에 직접 InN nanorods를 성장하였다. InN 박막의 성장에서 TMIn과 $NH_3$ 를 전구체로 사용하였으며, 캐리어 가스로는 질소를 사용하였다. 성장 전, 기판에 $1100^{ circ}C$ 에서 3분간 nitridation 처리를 거친 후 온도를 낮춰 $630{ sim}730^{ circ}C$ 의 온도범위 에서 InN 박막을 성장하였다. 이때 $710^{ circ}C$ 의 온도에서 박막은 columnar growth의 특성을 보였으며 동일조건에서 80분간 성장시킨 결과 InN nanorods가 성장되었다. 성장시킨 InN nanorod는 X-선 회절 측정법, 주사 전자 현미경 그리고 투과 전자 현미경을 이용하여 그 특성을 분석하였다. 투과 전자 현미경을 통한 분석결과 지름이 150~200 nm이며 그 길이는 수 ${ mu}m$ 인 InN nanorod가 성공적으로 성장되었음을 확인하였다. 또한 X-선 회절 측정법과 주사 전자 현미경을 통한 분석에서 이들 nanorods가 대부분 c 방향으로 수직하게 정렬되어 있음을 확인하였다. 또한 Ti/Au (120/80 nm)를 전극으로 사용하여 개개의 nanorod의 전기적 특성을 분석한 결과 linear한 I-V특성이 관찰되었으며 비저항은 평균적으로 $0.0024 ;{ Omega}cm$ 이었다. transfer 특성의 측정결과 -50V까지 게이트 전압을 인가하여도 드레인 전류의 변화는 매우 적어 doping level이 상당히 높다고 예상가능하다. 또한 mobility는 $133 ;cm^2/Vs$ 로 도출되었다. |
| 원문URL | http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=NPAP&cn=NPAP08599694 |
| 첨부파일 |
추가정보
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