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논문 기본정보
강유전체게이트 전계효과 트랜지스터의 정보저장특성 향상을 위한 lt;TEX gt;$SrBi_2Nb_2O_9$ lt;/TEX gt; 박막의 급속 결정성장방법
논문 개요
| 기관명 | NDSL |
|---|---|
| 저널명 | 마이크로전자 및 패키징 학회지 = Journal of the Microelectronics and Packaging Society |
| ISSN | 1226-9360, |
| ISBN |
논문저자 및 소속기관 정보
| 저자(한글) | |
|---|---|
| 저자(영문) | |
| 소속기관 | |
| 소속기관(영문) | |
| 출판인 | |
| 간행물 번호 | |
| 발행연도 | 2005-01-01 |
| 초록 | Pt- $SrBi_2Nb_2O_9(SBN)-Pt-Y_2O_3-Si$ 게이트 전계효과 트랜지스터 (MFMISFETs)의 정보저장 특성향상을 위하여 SBN 박막을 산소 플라즈마 내에서 급속열처리 하였다. 그 결과 SBN 박막의 결정크기는 $700^{ circ}C$ 의 동일한 열처리조건에서 급속열처리한 SBN 결정립의 크기가 전기로 열처리에 의한 SBN 결정립보다 4배 이상 성장하였다. 또한 분극 특성을 비교한 결과 잔류분극은 2배이상 급속열처리 방법으로 제조된 SBN 박막을 이용한 MFMISFET의 메모리윈도우 (memory window)와 on/off상태의 정보저장특성(programming characteristics)은 월등히 향상되었다. |
| 원문URL | http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=NART&cn=JAKO200511722529170 |
| 첨부파일 |
추가정보
| 과학기술표준분류 | |
|---|---|
| ICT 기술분류 | |
| DDC 분류 | |
| 주제어 (키워드) | MFMISFET,Programming characteristics,Oxygen plasma,Polarization characteristics |