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논문 기본정보
ALD로 저온에서 증착된 TiO2 박막의 막질에 대한 연구
논문 개요
| 기관명 | NDSL |
|---|---|
| 저널명 | 마이크로전자 및 패키징 학회지 = Journal of the Microelectronics and Packaging Society |
| ISSN | 1226-9360, |
| ISBN |
논문저자 및 소속기관 정보
| 저자(한글) | 박원희,신정우,양병찬,박만진,장동영,안지환 |
|---|---|
| 저자(영문) | |
| 소속기관 | |
| 소속기관(영문) | |
| 출판인 | |
| 간행물 번호 | |
| 발행연도 | 2016-01-01 |
| 초록 | 본 논문은 저온( $150^{ circ}C$ )에서 원자층 증착법(ALD)으로 증착된 $TiO_2$ 박막의 물리적, 화학적 막질에 대한 연구 결과를 보여준다. $TiO_2$ 의 ALD는 TTIP(Titanium(IV)isopropoxide)와 물을 이용하여 진행되었다. $150^{ circ}C$ 미만에서 증착시, ALD $TiO_2$ 의 성장률은 약 $0.3{ AA}/cycle$ 로 증착 온도 및 위치에 상관없이 거의 일정한 성장률을 보였다. 또한 SEM분석에서는 $200^{ circ}C$ 이상에서의 증착과 대조적으로, $150^{ circ}C$ 미만에서 증착된 박막은 부드러운 표면을 보였다. 투과전자현미경(TEM) 분석을 통해 이러한 특징이 저온에서 균질한 비정질의 막이 증착되었기 때문이라는 점을 알 수 있었다. 또한 저온 증착임에도 불구하고 종횡비가 1:75인 고종횡비 구조에도 80% 이상의 형상 적응성을 보였다. 그러나 저온 증착의 영향으로 X-선 광전자 분광기(XPS) 분석을 통해 4~7 at% 정도 함량의 탄소 불순물이 검출됨을 확인하였다. |
| 원문URL | http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=NART&cn=JAKO201622341963255 |
| 첨부파일 |
추가정보
| 과학기술표준분류 | |
|---|---|
| ICT 기술분류 | |
| DDC 분류 | |
| 주제어 (키워드) | Atomic Layer Deposition,Low-Temperature Deposition, lt,TEX gt,$TiO_2$ lt,/TEX gt,. Thin Film |