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논문 기본정보
극저온에서 나노스케일 무접합 p-채널 다중 게이트 FET의 전기적 특성
논문 개요
| 기관명 | NDSL |
|---|---|
| 저널명 | 한국정보통신학회논문지 = Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering |
| ISSN | 2234-4772, |
| ISBN |
논문저자 및 소속기관 정보
| 저자(한글) | 이승민,박종태 |
|---|---|
| 저자(영문) | |
| 소속기관 | |
| 소속기관(영문) | |
| 출판인 | |
| 간행물 번호 | |
| 발행연도 | 2013-01-01 |
| 초록 | 본 연구에서는 극저온에서 다중 게이트 구조인 나노스케일 p-채널 무접합(junctionless) 과 축적모드(accumulation mode) 다중 게이트 FET의 전기적 특성을 분석하였다. 헬륨을 사용하는 극저온 프로브 스테이션을 사용하여 소자를 측정하였다. 극저온과 낮은 드레인 전압에서 무접합 트랜지스터의 드레인 전류의 진동 현상이 축적모드 보다 심한 것을 알 수 있었다. 이는 무접합 트랜지스터에서는 채널이 실리콘 박막의 가운데 형성되므로 전기적 채널 폭이 축적모드 트랜지스터 보다 작기 때문이다. 온도가 증가할수록 드레인 전류가 증가하며 최대 전달 컨덕턴스도 증가하는 것을 알 수 있었다. 이는 온도가 증가할수록 문턱전압이 감소하며 이동도가 증가하는 데서 기인된 것을 알 수 있었다. 소자의 크기가 나노미터 레벨로 축소되면 양자현상에 의한 드레인 전류 진동이 상온에도 일어날 수 있다. |
| 원문URL | http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=NART&cn=JAKO201325954479971 |
| 첨부파일 |
추가정보
| 과학기술표준분류 | |
|---|---|
| ICT 기술분류 | |
| DDC 분류 | |
| 주제어 (키워드) | 무접합 MuGFET,극저온,컨덕턴스 오실레이션,이동도,문턱전압,Junctionless MuGFET,Cryogennic temperature,conductance oscillation,mobility,threshold voltage |