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논문 기본정보
Basic 암모노써멀 방법에 의한 벌크 GaN 단결정의 성장 및 특성
논문 개요
| 기관명 | NDSL |
|---|---|
| 저널명 | 한국결정성장학회지 = Journal of the Korean crystal growth and crystal technology |
| ISSN | 1225-1429, |
| ISBN |
논문저자 및 소속기관 정보
| 저자(한글) | 심장보,이영국 |
|---|---|
| 저자(영문) | |
| 소속기관 | |
| 소속기관(영문) | |
| 출판인 | |
| 간행물 번호 | |
| 발행연도 | 2016-01-01 |
| 초록 | Basic 암모노써멀 방법을 사용하여 벌크 GaN 단결정을 성장시켰다. 종자 결정은 Hydride vapor phase epitaxy법으로 성장한 c면의 GaN 템플릿을 사용하고 광화제는 sodium metal, amide, azide를 사용하였다. 결정 성장 온도는 $500{ sim}600^{ circ}C$ , 성장 압력은 2~3 kabr에서 실시하였다. c 축의 결정 성장 속도는 운용 압력이 증가함에 따라 선형적으로 증가하였다. Cathodoluminescence로 측정한 평균 전위 밀도는 $1{ times}10^5/cm^2$ 였다. Double Crystals X-ray Diffraction로 측정한 (002)면의 반치폭은 Ga 면에 대해서는 약 270 arcsec, N 면에 대해서는 약 80 arcsec이었다. |
| 원문URL | http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=NART&cn=JAKO201614139533331 |
| 첨부파일 |
추가정보
| 과학기술표준분류 | |
|---|---|
| ICT 기술분류 | |
| DDC 분류 | |
| 주제어 (키워드) | GaN,Ammonothermal growth,Cathodoluminescence,X-ray diffraction rocking curve |