| 보유기관명 |
성균관대학교 |
| 보유기관코드 |
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| 활용범위 |
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| 활용상태 |
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| 표준코드 |
C510 |
| 표준분류명 |
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| 시설장비 설명 |
2차원 물질(MoS2 MoSe2 WS2 WSe2) 을 이용해서 차세대 전자 소자를 만드는 공정 시 식각 장치를 사용한다. 특히 저온이고 깨끗하게 식각할 수 있게 만드는 플라즈마 장비가 필요한데 이를 위해서 RIE (반응성 이온 식각 장치) 가 가장 유용하다.2차원 물질은 물질의 구성에 따라서 도체 및 반도체 특성을 보이며 반도체 물질도 층수에 따라서 direct와 indirect band gap 특성을 보인다. 이러한 물질을 성장 및 제어하여 국가 나노과학기술의 발전에 크기 기여하여 국가 위상을 높일 것으로 기대함.새로운 2차원 물질을 성장하여 원천특허를 확보하여 산업적으로 응용하여 국가경쟁력 증대에 기여할 것으로 사료됨.2차원 물질은 그래핀이 발견된 이후로 전 세계적으로 매우 관심이 높은 물질임. 그래핀은 band gap이 없어 디지털 전자 소자에 응용 가능성이 매우 낮아 band gap이 있는 2차원 물질을 개발해야 해야함. 2차원 물질 (MoS2 WS2 MoSe2 WSe2)은 band gap이 있어 디지털 전자 소자 응용성이 매우 높음. 또한 2차원 물질은 차세대 투명하면서 유연한 전자 소자 응용성 매우 높음. 차세대 전자 소자를 만드는 공정 시 식각 장치를 사용한다. 특히 저온이고 깨끗하게 식각할 수 있게 만드는 플라즈마 장비가 필요한데 이를 위해서 RIE (반응성 이온 식각 장치)가 필요함 |
| 장비이미지코드 |
http://nfec.ntis.go.kr/storage/images/equip/photo/201402/.thumb/20140226144532807.jpg |
| 장비위치주소 |
경기 수원시 장안구 천천동 성균관대학교자연과학캠퍼스 300번지 성균관대학교 자연과학캠퍼스 CINAP IBS 5층 85577 |
| NFEC 등록번호 |
NFEC-2014-02-186050 |
| 예약방법 |
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| 카타로그 URL |
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| 메뉴얼 URL |
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| 원문 URL |
http://www.zeus.go.kr/equip/read?equipId=Z-NTIS-0043546 |
| 첨부파일 |
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