고주파플라즈마반응성이온식각장치
기관명 | ZEUS |
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장비번호 | |
제작사 | 에스엔텍 |
모델명 | IRS-5000 |
장비사양 | |
취득일자 | 2012-06-26 |
취득금액 |
보유기관명 | 연세대학교 |
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보유기관코드 | |
활용범위 | |
활용상태 | |
표준코드 | C510 |
표준분류명 | |
시설장비 설명 | 업체명/품명/모델명/수량 - ㈜에스엔텍 / ICP-RIE System / IPS-5000 / 1set - (주)에스엔텍에서는 상기 system 및 공정에 있어서 지속적인 연구 개발을 통해 관련 지적재산권(특허출원 제10-2010-0138768호 유도 결합형 플라즈마 안테나 및 이를 갖는 유도 결합형 플라즈마 처리 장치)을 취득하기 위한 노력을 지속하는 등 해당분야에 기술력이 검증된 업체입니다.- DEMO 장비를 통한 식각 특성 확인 - Langmuir탐침을 통한 Plasma 밀도 측정 DATA 확인 - 박막 측정 결과 값 Thickness Uniformity ≦±3% - 최저 진공 : ≦1xE-5 Torr - Process중 원하는 진공도에서 10m Torr이내 유지상기 system은 유도 결합 방식의 고밀도 플라즈마(ICP)의 발생과 바이어스(bias) 구조를 통한 플라즈마 내 이온의 가속으로부터 기판을 강하게 식각하는 공정 설비입니다. 본 연구실은 상기 장비를 사용하여 기판 상의 특정 미세 패턴과 나노 구조물의 형성을 기반으로 하는 관련 연구를 진행 |
장비이미지코드 | http://nfec.ntis.go.kr/storage/images/equip/photo/201310/.thumb/20131008114813246.jpg |
장비위치주소 | 인천 연수구 송도동 과학로 85 자유관B 3층 309호 |
NFEC 등록번호 | NFEC-2012-09-170175 |
예약방법 | |
카타로그 URL | |
메뉴얼 URL | |
원문 URL | http://www.zeus.go.kr/equip/read?equipId=Z-NTIS-0041395 |
첨부파일 |
과학기술표준분류 | |
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ICT 기술분류 | |
주제어 (키워드) |