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단면미세가공기

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보유기관명	금오공과대학교
보유기관코드
활용범위
활용상태
표준코드	C208
표준분류명
시설장비 설명	가속된 이온을 시료 표면에 맞혀 연마하는 방법으로 기계적 연마나 전해 연마 후 시료 표면에 남은 불순물을 제거하기 위한 최종연마로 이용된다. 반도체나 세라믹스 다층의 박막 시료를 연마하여 단면 관찰시 유용하다.1. Accelerating voltage : 2 to 8 kV 2. Ion beam diameter : 500㎛ 3. Milling rate : 100㎛/h (6 kV Silicon 100㎛ from edge) 4. Max. specimen size : 11mm X 10mm X 2mm 5. Specimen stage : X : ± 10mm Y : ± 3mm 6. Specimen alignment : ± 5 ˚ 7. Specimen swing angle : ± 30 ˚주사전자현미경(SEM) 시편 제작 - 금속재료 세라믹재료 전자재료 표면 및 단면 관찰 - 실리콘 웨이퍼의 박막 두께 측정
장비이미지코드	http://nfec.ntis.go.kr/storage/images/equip/photo/201311/.thumb/20131101145432347.jpg
장비위치주소	경북 구미시 양호동 금오공과대학교 그린에너지관 217-2호 금오공과대학교 그린에너지관 2층 218
NFEC 등록번호	NFEC-2013-11-183759
예약방법
카타로그 URL
메뉴얼 URL
원문 URL	http://www.zeus.go.kr/equip/read?equipId=Z-NTIS-0040817
첨부파일