캐패시터 미터
기관명 | ZEUS |
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장비번호 | |
제작사 | Keithley Instruments |
모델명 | 4210-CVU 4200-BTI-A |
장비사양 | |
취득일자 | 2013-03-27 |
취득금액 |
보유기관명 | 성균관대학교 |
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보유기관코드 | |
활용범위 | |
활용상태 | |
표준코드 | D102 |
표준분류명 | |
시설장비 설명 | 커패시턴스-전압 (C-V) 테스트은 도핑 농도와 프로파일 캐리어 수명 산화물 두께 인터페이스 트랩 농도 같은 다양한 반도체 파라메터를 결정하는데 널리 사용됩니다. 모델 4200-SCS는 다음의 3가지 C-V 방식을 제공합니다: 멀티 주파수 (1kHz 10MHz) 초저주파수 (10mHz 10Hz) 준정적 C-V. 펄스 I-V 테스트는 기기 특성화 과정에서 발생하는 기기의 자가 발열 방지 또는 전하 트랩 효과 최소화에 이상적입니다. DC 신호 대신에 좁은 펄스와 낮은 듀티 사이클 펄스를 사용함으로써 성능을 유지하면서 중요한 파라메터들을 추출할 수 있도록 합니다. 과도 I-V 측정을 사용하여 동적 특성을 연구하기 위해 시간 영역에서 초고속 전류 또는 전압 파형을 캡쳐할 수 있도록 합니다.모델 4210-CVU 멀티 주파수 C-V 모듈은 모델 4200-SCS 샤시의 1개 슬롯을 차지하며 최대 4096개의 데이터 지점에서 선형 또는 커스텀 C-V C-f C-t 측정 스위프를 제공합니다. 내장 보상 루틴은 기생 효과를 제거하고 DUT로의 연결 무결성을 보장합니다. 선택적인 파워 패키지는 최대 +/- 200 V의 DC 전압 바이어스를 가능하게 합니다. 이 모델은 멀티 주파수 (1kHz 10MHz) 초저주파수 (10mHz 10Hz) 준정적 C-V를 지원하도록 설정될 수 있습니다. 펄스 I-V 테스트는 펄스 I-V 과도 I-V 펄스 소싱의 3가지 형태의 초고속 I-V 테스트을 수행할 수 있습니다. 펄스와 과도 측정은 분석에 시간 영역 차원을 더하며 동적 특성 확인을 가능케 합니다. DC 신호 대신에 펄스 I-V 신호를 사용하여 기기를 특성화하면 자가 발열 효과를 연구 또는 감소시키거나 트랩 전하로 인한 전류 드리프트를 최소화시킬 수 있습니다. 또한 펄스 소싱은 안정 주기 또는 메모리 기기 프로그램 및 삭제 과정 중에 기기의 스트레스 테스트에 사용될 수 있습니다.모델 4200-SCS는 아래의 많은 기기와 소재들을 테스트할 수 있습니다: -합성 반도체 -CMOS 기기 -비휘발성 메모리 기기 (플래시 PCRAM 등) -나노기술과 MEMS -AC 스트레스와 안정성 테스트 -유기 TFT 디스플레이 -태양광 전지 테스트 |
장비이미지코드 | http://nfec.ntis.go.kr/storage/images/equip/photo/201308/.thumb/2013080711146748.jpg |
장비위치주소 | 경기 수원시 장안구 천천동 성균관대학교자연과학캠퍼스 300번지 성균관대학교 자연과학캠퍼스 CINAP IBS 6층 |
NFEC 등록번호 | NFEC-2013-08-181611 |
예약방법 | |
카타로그 URL | |
메뉴얼 URL | |
원문 URL | http://www.zeus.go.kr/equip/read?equipId=Z-NTIS-0039306 |
첨부파일 |
과학기술표준분류 | |
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ICT 기술분류 | |
주제어 (키워드) |