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장비 및 시설 기본정보

다목적 고분해능 광전자 분광기

장비 개요

기관명, 장비번호, 제작사, 모델명, 장비사양, 취득일자, 취득금액 순으로 구성된 표입니다.
기관명 ZEUS
장비번호
제작사 Thermo Scientific
모델명 모델명 없음
장비사양
취득일자 2011-02-24
취득금액

보유기관 및 이용정보

보유기관명, 보유기관코드, 활용범위, 활용상태, 표준코드, 표준분류명, 시설장비 설명, 장비이미지코드, 장비위치주소, NFEC 등록번호, 예약방법, 카타로그 URL, 메뉴얼 URL, 원문 URL, 첨부파일 순으로 구성된 표입니다.
보유기관명 한국과학기술원
보유기관코드
활용범위
활용상태
표준코드 A503
표준분류명
시설장비 설명 - 반도체 재료 표면의 화학적 결합 상태를 분석할 수 있는 장비로서 재료 내에 함유 물질 산화물의 상태 변화화학적 결합 상태와 orbital에 대한 연구 깊이에 대한 조성 변화 등의 연구에 사용되며 최근 들어 각광받고 있는 나노소자 연구에 사용되는 고분자 및 저분자 유기물질 그리고 유기 반도체 소자와 유기 태양전지의 전자구조 측정에 필수적이며 10-20um이내의 좁은 영역의 분석이 요구되는 반도체 LED 연구에 정확한 측정과 분석을 할 수 있음.
- 특히 Angle-Resolved 기능과 UPS(UV-Photoelectron Spectroscopy) 장착 은 단결정 재료의 valence band 구조를 직접 측정 할 수 있기 때문에 고온 초전도체나 자기저항 물질 등에서 물질의 특이한 성질을 연구하는 실험실에 중요한 역할을 함.1) Energy Resolution : 0.47eV FWHM
2) Electron Source : Lab-6
3) Depth Profile ; 양질의 depth profile data를 얻기 위한 ion gen의 성능 및 시스템
- Ion gun Beam Current : Up to 5.0uA@4Kv
- 분석 쳄버의 Pumping System : Turbo-molecular pump
4) UHV(Ultra High Vaccum) : Main Chamber의 재질 100% mu-metal 사용
5) Angle Resolved
6) UPS(Ultra-violet Photoelectron Spectroscopy)
7) Sample Position : Live image
8) 장비의 확장성- 반도체 소자의 소형화 집적화에 따른 내구성 확보하기 위해 소자의 조립과정에서 일어나는 반도체의 상호작용 이해
- 반도체 표면을 세척하거나 산화물 박막을 성장시키거나 혹은 원소를 주입하는 것과 같은 여러 공정 분석
-이종접합이나 양자우물 구조를 갖는 소자에서 박막들 사이의 계면에서 일어나는 화학적 변화에 대해서도 정확하고
유용한 정보 제공
- AR(Angle-Resolved) XPS를 이용한 비파괴 Depth profiling 기술은 나노박막(<5nm)을 비파괴적으로 정량 분석하는
기술로 주로 반도 나노 박막 유기 재료 등의 조성 및 전자구조 해석
- OLED의 성능 결정에 결정적인 역할을 하는 유기물/금속 계면 사이에서의 전하 이동과 화학반응 조사에 매우 유용한
정보 제공
- Memory 분야에서의 구조물과 구조물 구조물과 기판의 경계면에 대한 분석
- 새롭게 대두 되고 있는 이차전지용 양극 재료의 특성평가 및 다양한 소자 제작 등에 사용할 수 있는 소재평가에도
적극 활용
장비이미지코드 http://nfec.ntis.go.kr/storage/images/equip/photo/201309/.thumb/20130904143910929.jpg
장비위치주소 대전 유성구 구성동 한국과학기술원 중앙분석센터 한국과학기술원 W8-1/중앙분석센터 2층 204
NFEC 등록번호 NFEC-2013-09-182590
예약방법
카타로그 URL
메뉴얼 URL
원문 URL http://www.zeus.go.kr/equip/read?equipId=Z-NTIS-0039993
첨부파일

추가정보

과학기술표준분류, ICT 기술분류, 주제어 순으로 구성된 표입니다.
과학기술표준분류
ICT 기술분류
주제어 (키워드)