| 보유기관명 |
(주)동부하이텍 |
| 보유기관코드 |
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| 활용범위 |
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| 활용상태 |
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| 표준코드 |
C504 |
| 표준분류명 |
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| 시설장비 설명 |
엡실론 단일 웨이퍼 epitaxy 형성 장비는 낮은 온도 트랜지스터 스트레인 층 형성을위한 선택적 또는 비선택적 실리콘 게르마늄 (SiGe)에 웨이퍼 준비 및 고온 실리콘에 이르기까지 epitaxy 응용 프로그램의 다양한 형태를 형성할수 있다. 이 설비의 반응로가 화학 기상 증착하여 에피 택셜 실리콘 기반의 필름을 성장 선택한 온도 웨이퍼를 가열하는 통합 램프를 사용한며엡실론 2000 PLUS는 150mm 및 200mm 웨이퍼에 사용된다. 모두 대기와 감소 된 압력 구성을 사용할 수 있습니다. 이 설비는 은 Silcore 와 전구체와의 최적화 된 성능으로 인해 낮은 온도에서 업계 최고 증착 속도를 제공한다.높은 속도 판상 가스 흐름 샤프 도펀트 전환 수 페리 어 자동 도핑 제어 낮은 금속 오염 낮은 온도에서 높은 실리콘 성장률 산소 오염이 없는 원피스 챔버 디자인 등이다. 주요한 성능은 Recessed source/drain (SiGe SiC) Elevated source/drain Si SiGe) SiGe(C) Ge GaAs thin channel SiGe (C) GE Fully selective collector base and emitter formation for bipolar Blanket epi processing for wafer manufacturing PowerFill™ selective Si deep trench fill for power devices PowerFill 등이 가능하다. 현재 이 설비는 동부하이텍의 Fab. 내에서 수백 V 이상 고전압 공정을 위한 n-type 에피층 형성에 주로 사용되어 지고 있다. |
| 장비이미지코드 |
http://nfec.ntis.go.kr/storage/images/equip/photo/201211/.thumb/20121119151539.jpg |
| 장비위치주소 |
경기 부천시 원미구 도당동 222-1 (주)동부하이텍 부천공장 |
| NFEC 등록번호 |
NFEC-2013-02-174862 |
| 예약방법 |
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| 카타로그 URL |
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| 메뉴얼 URL |
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| 원문 URL |
http://www.zeus.go.kr/equip/read?equipId=Z-NTIS-0035870 |
| 첨부파일 |
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