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장비 및 시설 기본정보

급속열처리시스템

장비 개요

기관명, 장비번호, 제작사, 모델명, 장비사양, 취득일자, 취득금액 순으로 구성된 표입니다.
기관명 ZEUS
장비번호
제작사 뉴영시스템
모델명 RTA 200H SPV1
장비사양
취득일자 2012-10-17
취득금액

보유기관 및 이용정보

보유기관명, 보유기관코드, 활용범위, 활용상태, 표준코드, 표준분류명, 시설장비 설명, 장비이미지코드, 장비위치주소, NFEC 등록번호, 예약방법, 카타로그 URL, 메뉴얼 URL, 원문 URL, 첨부파일 순으로 구성된 표입니다.
보유기관명 대구경북과학기술원
보유기관코드
활용범위
활용상태
표준코드 C601
표준분류명
시설장비 설명 1. Rapid thermal processing refers to a semiconductor manufacturing process which heats silicon wafers to high temperatures (up to 1100℃) on a timesscale of several seconds.
2. Such rapid heating rates are often attained by high intensity lamps.
3. These processes are used for a wide variety of applications in semiconductor manufacturing including dopant activation thermal oxidation and metal alloy.1. 제작 장비명 : Single wafer type Rapid Thermal Annealing system
2. Process : RTA & RTO with vacuum (~50mTorr) or ATM
3. System Configurations
3-1. RTA System Configuration
3-1-1. 200mm RTA Chamber with close sealing type : 1set
3-1-2. Main Frame Ass'y : 1set
3-1-3. Main Power & TPR Units : 1set
3-1-4. RTA Gas Panel : 1set
3-1-5. Vacuum System : 1set
3-1-5. Temp control : Pyrometer
3-2. RTA Standard System
3-2-1. System Pressure : Vacuum type (ATM ~5.0E-2)
3-2-2. Process Gas System : Non Toxic Type
3-2-3. Gas Line per Chamber : 3 Line (N2 O2 Ar)
3-3. Standard Module Spec.
3-3-1. Chamber Unit : 1set
- Quartz Tray with SiC Edge ring : for 4" 6" / 8" Si wafer
- Chamber Material : Ni Coating Al with Hot wall by Heater and cooled by PCW
- Chamber volume less than 18L(About chamber inner size is 240mm x 240mm x 30mm)
- Process Gas Supply : N2 O2 Ar
3-3-2. Lamp Unit : 1set
- Lamp Type : Tungsten Halogen Circular type
- Lamp Structure : Top side
- Power Controlled by TPR
- Number of Control Zone : 24 Zone
- Consumption Power : Max.30KVA
4. Process Guarantee SPEC.
4-1. Temp. Control Range : 상온 ~ 980℃ by Pyrometer
4.2. Temp. Reading Range : Max 1000℃ by Pyrometer
4-3. Ramp Up Rate : < 50℃/sec at Si wafer
4-4. Ramp Down Rate : < 30℃/sec at Si wafer.
4-5. Process Time : Max. 2min (980℃) Controllable / Max. 2min (1100℃) noncontrollable
4-6. Temp. Uniformity(Within Wafer Uniformity) : Dopant activation로 사용 가능함.
장비이미지코드 http://nfec.ntis.go.kr/storage/images/equip/photo/201301/.thumb/급속열처리시스템.jpg
장비위치주소 대구 달성군 현풍면 상리 50-1 대구경북과학기술원 중앙기기센터 2층 205
NFEC 등록번호 NFEC-2013-02-176068
예약방법
카타로그 URL
메뉴얼 URL
원문 URL http://www.zeus.go.kr/equip/read?equipId=Z-NTIS-0036424
첨부파일

추가정보

과학기술표준분류, ICT 기술분류, 주제어 순으로 구성된 표입니다.
과학기술표준분류
ICT 기술분류
주제어 (키워드)