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장비 및 시설 기본정보
3차원 탄화실리콘 화학증착 치밀화 시스템
장비 개요
| 기관명 | ZEUS |
|---|---|
| 장비번호 | |
| 제작사 | 썸백 |
| 모델명 | 모델명 없음 |
| 장비사양 | |
| 취득일자 | 2012-06-28 |
| 취득금액 |
보유기관 및 이용정보
| 보유기관명 | 한국세라믹기술원 |
|---|---|
| 보유기관코드 | |
| 활용범위 | |
| 활용상태 | |
| 표준코드 | C601 |
| 표준분류명 | |
| 시설장비 설명 | 본 3차원 탄화실리콘 화학증착/치밀화 시스템은 실리콘 탄화물 혹은 Pyrolytic carbon을 탄소 혹은 RBSC 소재 위 혹은 열린 기공에 증착하여 표면 개질 혹은 치밀화를 시키는 장비로써 최대직경 1200mm까지 증착할 수 있는 대구경 부품제조용 장치임.- 피증착 소재 : SiC C RBSC(Reaction Bonded Silicon Carbide) - 사용온도 : 최대 섭씨 2000도 상용 1900도 - 최대직경 1200mm 최대높이 600mm 증착물의 중량 200kg - 증착분위기 : 수소 혹은 알곤 - 사용가스 ①반응가스 : C3H8 SiCl4 H2 ② 캐리어가스 : H2 ③ 고순화가스 : Cl2 ④ 퍼지가스 : N2 ⑤ 밸런스가스 : Ar - 압력범위 : 10 ~ 300 Torr - 배기가스처리 : Heat/Wet scrubber system - 진공도 : 1E-3Torr(base pressure) controllable up to 10 torr at 100 slm - 샘플로딩 : Bottom door loading with rotating sample plate - 시스템 조작 : PLC 조절 터치패널 스캐쥴과 압력/온도/유량의 자동 저장기판소재는 등방성 카본 혹은 반응소결 탄화규소(Reaction bonded silicon carbide)이고 사용가스는 MTS(methyltrichlorosilane CH3SiCl3)와 수소임. 증착온도는 섭씨 1300도에서 4~8시간 증착하여 두께 20~100 um인 탄화규소 후막을 기판 위에 성장시킬 수 있음. |
| 장비이미지코드 | http://nfec.ntis.go.kr/storage/images/equip/photo/201210/.thumb/20121015161554.jpg |
| 장비위치주소 | 경기 이천시 신둔면 수광리 595-7 한국세라믹기술원 이천분원 세라믹소재종합센터 1층 |
| NFEC 등록번호 | NFEC-2012-10-171762 |
| 예약방법 | |
| 카타로그 URL | |
| 메뉴얼 URL | |
| 원문 URL | http://www.zeus.go.kr/equip/read?equipId=Z-NTIS-0035463 |
| 첨부파일 |
추가정보
| 과학기술표준분류 | |
|---|---|
| ICT 기술분류 | |
| 주제어 (키워드) |