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플라즈마 화학 기상 증착기

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보유기관명	울산과학기술원
보유기관코드
활용범위
활용상태
표준코드	C507
표준분류명
시설장비 설명	챔버 내부에 플라즈마를 발생시켜 기체 분자들을 플라즈마의 에너지로 분해시킴으로써 낮은 온도에서 증착이 가능하다. 소자가 받는 응력을 줄이는 MEMS 및 반도체 소자용 저응력 SiO2 SiNx 박막을 증착한다.- High Plasma Density High Dep. rate PE-CVD - Wafer Size : 4" ~ 6" Max Substrate Temperature : 400℃ - Power Supply : 600 W 13.56 MHz RF Generator system - Process Gas : N2O Ar P-N2 CF4 pure SiH4/NH3 - Process Guarantee : 1000 Å ~ 10 ㎛ - With in Wafer Uniformity : ± 3% Wafer to Wafer Uniformity : ± 3 % Run to run uniformity : ± 3 % - Full Automatic load/unload transfer system- SiH4, NH3, N2O gas를 사용하여, 반도체 MEMS 및 Si wafer 상에 필요로 하는 SiO2 Si3Nx 박막을 증착 할 수 있다. (반도체 소자용 저응력 박막 증착 가능)
장비이미지코드	http://nfec.ntis.go.kr/storage/images/equip/photo/201210/.thumb/20121018224750.JPG
장비위치주소	울산광역시 울주군 언양읍 유니스트길 50 울산과학기술대학교 자연과학관 1층 B101호
NFEC 등록번호	NFEC-2012-09-172231
예약방법
카타로그 URL
메뉴얼 URL
원문 URL	http://www.zeus.go.kr/equip/read?equipId=Z-NTIS-0035109
첨부파일