- HOME
- 기술정보
- 장비
장비
장비 및 시설 기본정보
플라즈마증착시스템
장비 개요
| 기관명 | ZEUS |
|---|---|
| 장비번호 | |
| 제작사 | (주)티티엘 |
| 모델명 | FabStar |
| 장비사양 | |
| 취득일자 | 2012-01-31 |
| 취득금액 |
보유기관 및 이용정보
| 보유기관명 | 대구경북과학기술원 |
|---|---|
| 보유기관코드 | |
| 활용범위 | |
| 활용상태 | |
| 표준코드 | C510 |
| 표준분류명 | |
| 시설장비 설명 | 각종 소자(센서 FET 등) 제작 시 CVD(Chemical vapor Deposition)화학적기상증착 방법을 이용하여 SiO2 증착 본원에서는 FET 제작시 절연층으로 활용할 SiO2 박막 제작시 활용할 예정임. 다양한 조각 시편 및 6인치 웨이퍼 기판까지도 사용가능하도록 설계함. * Process wafer : Piece & 4" ~ 6" * One process chamber & Full automatic system * RF power : 1kW 13.56MHz Auto-matching type top electrode * LF power : 1kW 400KHz Auto-matching type bottom electrode * Substrate temp. : Max 400℃ * Loadlock chamber : Full Automatic wafer transfer * Process Gas : SiH4 N2O GeH4 PH3 B2H6 C4F8 NH3 He * Application : oxide n- & p-doped SiO2 deposition |
| 장비이미지코드 | http://nfec.ntis.go.kr/storage/images/equip/photo/201207/.thumb/20120731144818.jpg |
| 장비위치주소 | 대구 달성군 현풍면 상리 50-1 대구경북과학기술원 중앙기기센터 2층 205 |
| NFEC 등록번호 | NFEC-2012-07-168045 |
| 예약방법 | |
| 카타로그 URL | |
| 메뉴얼 URL | |
| 원문 URL | http://www.zeus.go.kr/equip/read?equipId=Z-NTIS-0034424 |
| 첨부파일 |
추가정보
| 과학기술표준분류 | |
|---|---|
| ICT 기술분류 | |
| 주제어 (키워드) |