| 보유기관명 |
한국전기연구원 |
| 보유기관코드 |
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| 활용범위 |
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| 활용상태 |
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| 표준코드 |
C601 |
| 표준분류명 |
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| 시설장비 설명 |
탄화규소 DMOSFET의 채널 이동도가 낮은 이유는 SiC/SiO2 계면에서의 높은 계면결함준위(interface trap density Dit)때문으로 보고되고 있다. 게이트 산화막과 SiC 계면결함을 줄이기 위한 목적으로 질화처리용 가스들(NO 또는 N2O)이 사용된다.- 1200℃이상의 열처리 - Temperature uniformity ±1℃ - Ramp up rate는 25℃/min 이상 - 자동 입출식 시편장착시스템(cantilever type)
- Toxic NO가스 검출용 gas detector - 자동 온도 제어방식특히 NO의 경우 SiC의 고온(1200℃이상) 반응시 계면결함 제거가 탁월하여 해외 대부분의 연구기관들은 계면에 SiON 즉 thermal-nitrided oxide를 형성하기 위한 1200℃이상의 산화로에서 NO gas를 사용한다. |
| 장비이미지코드 |
http://nfec.ntis.go.kr/storage/images/equip/photo/201207/.thumb/20120710172334.JPG |
| 장비위치주소 |
경북 포항시 남구 효자동 포항공과대학교 나노융합기술원 포항공대나노기술집적센터 나노융합지술원 2층 C-100 |
| NFEC 등록번호 |
NFEC-2012-07-167818 |
| 예약방법 |
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| 카타로그 URL |
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| 메뉴얼 URL |
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| 원문 URL |
http://www.zeus.go.kr/equip/read?equipId=Z-NTIS-0034042 |
| 첨부파일 |
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