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장비
장비 및 시설 기본정보
열처리로
장비 개요
| 기관명 | ZEUS |
|---|---|
| 장비번호 | |
| 제작사 | 리드엔지니어링 |
| 모델명 | BBr3 Doping Furnace System |
| 장비사양 | |
| 취득일자 | 2012-03-15 |
| 취득금액 |
보유기관 및 이용정보
| 보유기관명 | 한양대학교 ERICA캠퍼스 |
|---|---|
| 보유기관코드 | |
| 활용범위 | |
| 활용상태 | |
| 표준코드 | C601 |
| 표준분류명 | |
| 시설장비 설명 | BBr3 doping furnace 장비의 필요성: n-type 실리콘의 우수한 특성을 이용하여 고효율 태양전지 제조에 관한 연구가 활발히 진행되고 있는 가운데 본 연구에서도 우수한 소수 케리어 수명을 갖는 n-type epi-Si 성장을 진행할 계획이고 기존의 doping 방식은 Al을 증착하여 열처리하는 방식을 채택하고 있었으나 얇은 두께의 태양전지에서의 공정상의 한계와 boron의 우수한 물질적 전기적 특성에 의해서 최근에는 boron 도핑 프로세스에 대한 연구가 요구되고 있습니다. 따라서 높은 에너지 변환 효율을 갖는 태양전지를 개발을 위해 본 doping furnace 장비는 필수적 입니다. 또한 furnace를 이용한 도핑 공정 개발은 본 연구에서 지향하는 3차원 구조의 태양전지 제작에 있어 핵심기술이 될 수 있습니다.- Prrocess : BBr3 Doping - Furnace : Kantal A1 ( 3Zone control ) - Load Station : Loading / Unloading Automation - Controller : Fully Automatic PC Base operation - Recipe Edit Trend History Tube Status Etc. - Gas System : MFC Gas flow Control 5 Loop - Windows base controller / PLC control - Gas piping : SUS316L EP - UP-750 UT-750 Temp Controller - Bubbler 1 System(BBr3) - Interlock System높은 에너지 변환 효율을 갖는 태양전지를 개발을 위해 doping furnace 장비는 필수적 입니다. 또한 furnace를 이용한 도핑 공정 개발은 본 연구에서 지향하는 3차원 구조의 태양전지 제작에 필요합니다. |
| 장비이미지코드 | http://nfec.ntis.go.kr/storage/images/equip/photo/201203/.thumb/20120328160155.jpg |
| 장비위치주소 | 경기 안산시 상록구 사3동 한양대학교 1271번지 한양대학교 안산캠퍼스 제1공학관 2층 219호 |
| NFEC 등록번호 | NFEC-2012-03-167937 |
| 예약방법 | |
| 카타로그 URL | |
| 메뉴얼 URL | |
| 원문 URL | http://www.zeus.go.kr/equip/read?equipId=Z-NTIS-0032092 |
| 첨부파일 |
추가정보
| 과학기술표준분류 | |
|---|---|
| ICT 기술분류 | |
| 주제어 (키워드) |