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장비
장비 및 시설 기본정보
RF/DC 마그네트론 스퍼터
장비 개요
| 기관명 | ZEUS |
|---|---|
| 장비번호 | |
| 제작사 | 에스엔텍 |
| 모델명 | RSP5004 |
| 장비사양 | |
| 취득일자 | 2011-02-25 |
| 취득금액 |
보유기관 및 이용정보
| 보유기관명 | 대구경북과학기술원 |
|---|---|
| 보유기관코드 | |
| 활용범위 | |
| 활용상태 | |
| 표준코드 | C506 |
| 표준분류명 | |
| 시설장비 설명 | 태양전지 셀 제작 시 window층 및 buffer층 형성 Co-sputtering 방법을 이용한 CIGS 전구체 및 CIGS 박막 성장 공정 연구Process chamber 1. Deposition thickness: up to several microns 2. Film thickness uniformity: ≤ ± 5 % on 100 x 100 mm2 substrate 3. In-situ temperature monitoring software of depositing film 4. Temperature uniformity: ≤ ± 5 % on 100 x 100 mm2 substrate 5. Substrate : Glass 100 mm x 100 mm Si 4" wafer 두께 0.5 mm~4 mm range 대응 가능 800 ℃이상 heating 및 회전 가능 6. Control system : PLC based PC control 7. Auto process with recipe control available : Program data 저장 가능 8. 4“ magnetron sputter gun 2개 부착 B. Loadlock chamber 1. Cleaning by RF sputtering 2. In-situ temperature monitoring software 3. Temperature uniformity: ≤ ± 5 % on 100 x 100 mm2 substrate 4. Substrate : Glass 100 mm x 100 mm Si 4" wafer 두께 0.5 mm~4mm range 대응 가능 800 ℃이상 heating 5. Control system : PLC based PC control 6. Auto process with recipe control available : Program data 저장가능 |
| 장비이미지코드 | http://nfec.ntis.go.kr/storage/images/equip/photo/201109/.thumb/20110906165118.jpg |
| 장비위치주소 | 대구 달성군 현풍면 상리 50-1 대구경북과학기술원 중앙기기센터 2층 205 |
| NFEC 등록번호 | NFEC-2011-09-148415 |
| 예약방법 | |
| 카타로그 URL | |
| 메뉴얼 URL | |
| 원문 URL | http://www.zeus.go.kr/equip/read?equipId=Z-NTIS-0029848 |
| 첨부파일 |
추가정보
| 과학기술표준분류 | |
|---|---|
| ICT 기술분류 | |
| 주제어 (키워드) |