제논 실리콘 에처
기관명 | ZEUS |
---|---|
장비번호 | |
제작사 | Suface Tech |
모델명 | Multiplex ASE System |
장비사양 | |
취득일자 | 2003-04-18 |
취득금액 |
보유기관명 | 한국광기술원 |
---|---|
보유기관코드 | |
활용범위 | |
활용상태 | |
표준코드 | |
표준분류명 | |
시설장비 설명 | ㅇ실리콘 깊이 홈 식각특성 : - 식각율 : 6.0㎛/min @50㎛ 너비 400㎛ 깊이 홈 - 측면 수직식각 : < 90±0.5° - 표면 거칠기 : < 40nm - 균일도 : 3% ㅇ적용가능기판 : 4“ / 6” ㅇ전극적용온도 : -10 ~ 45 ℃ ㅇRF 파워 : ≥0.6 kW ㅇ사용가스종류 ; O2 Ar C4F8 SF6 ㅇ정전형 기판 클램핑 ㅇLaser End Point Detector ㅇCarousel Loadlock Upgrade실리콘의 건식각을 위하여 xeF2 의 특수한 기체를 사용하여 비등방식각을 할수있게 해주는 장비로 ICP RIE 등과 같은 일반적인 장비를 사용해서는 실리콘의 비등방성 식각형태를 얻을수 없음 |
장비이미지코드 | http://nfec.ntis.go.kr/storage/images/equip/photo/201310/.thumb/20131010104823836.jpg |
장비위치주소 | 광주 북구 월출동 971-35 한국광기술원 실험동 1층 메인클린룸 dry |
NFEC 등록번호 | NFEC-2011-01-141023 |
예약방법 | |
카타로그 URL | |
메뉴얼 URL | |
원문 URL | http://www.zeus.go.kr/equip/read?equipId=Z-NTIS-0024155 |
첨부파일 |
과학기술표준분류 | |
---|---|
ICT 기술분류 | |
주제어 (키워드) |