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장비 및 시설 기본정보

제논 실리콘 에처

장비 개요

기관명, 장비번호, 제작사, 모델명, 장비사양, 취득일자, 취득금액 순으로 구성된 표입니다.
기관명 ZEUS
장비번호
제작사 Suface Tech
모델명 Multiplex ASE System
장비사양
취득일자 2003-04-18
취득금액

보유기관 및 이용정보

보유기관명, 보유기관코드, 활용범위, 활용상태, 표준코드, 표준분류명, 시설장비 설명, 장비이미지코드, 장비위치주소, NFEC 등록번호, 예약방법, 카타로그 URL, 메뉴얼 URL, 원문 URL, 첨부파일 순으로 구성된 표입니다.
보유기관명 한국광기술원
보유기관코드
활용범위
활용상태
표준코드
표준분류명
시설장비 설명 ㅇ실리콘 깊이 홈 식각특성 :
- 식각율 : 6.0㎛/min @50㎛ 너비 400㎛ 깊이 홈
- 측면 수직식각 : < 90±0.5°
- 표면 거칠기 : < 40nm
- 균일도 : 3%
ㅇ적용가능기판 : 4“ / 6”
ㅇ전극적용온도 : -10 ~ 45 ℃
ㅇRF 파워 : ≥0.6 kW
ㅇ사용가스종류 ; O2 Ar C4F8 SF6
ㅇ정전형 기판 클램핑
ㅇLaser End Point Detector
ㅇCarousel Loadlock Upgrade실리콘의 건식각을 위하여 xeF2 의 특수한 기체를 사용하여
비등방식각을 할수있게 해주는 장비로 ICP RIE 등과 같은
일반적인 장비를 사용해서는 실리콘의 비등방성 식각형태를
얻을수 없음
장비이미지코드 http://nfec.ntis.go.kr/storage/images/equip/photo/201310/.thumb/20131010104823836.jpg
장비위치주소 광주 북구 월출동 971-35 한국광기술원 실험동 1층 메인클린룸 dry
NFEC 등록번호 NFEC-2011-01-141023
예약방법
카타로그 URL
메뉴얼 URL
원문 URL http://www.zeus.go.kr/equip/read?equipId=Z-NTIS-0024155
첨부파일

추가정보

과학기술표준분류, ICT 기술분류, 주제어 순으로 구성된 표입니다.
과학기술표준분류
ICT 기술분류
주제어 (키워드)